Магниторезистивная память(MRAM)

Опубликовано 19.07.2011 Ведущий Антон Панкратов

Одним из перспективных типов энергонезависимой памяти для компьютеров является MRAM-магниторезистивная память с произвольным доступом. В отличие от других типов оперативной памяти данные в микросхемах MRAM хранятся в виде магнитных элементов хранения, а не в виде электрических зарядов. Элементы образуются из двух ферромагнитных пластин, каждая из которых вмещает элемент магнитного поля, разделенных тонким слоем изолятора. Одна из двух пластин имеет постоянный магнит, установленный с определенной полярностью, а магнитное поле другого может быть изменено, под действием внешнего поля для записи информации… Такая конфигурация известна как спиновый клапан и является простейшим типом MRAM ячейки на один бит. Память устройства организуется из матрицы таких "ячеек". Простейший метод чтения информации из такой ячейки заключается в изменении электрического сопротивления ячейки. С каждой ячейкой связан транзистор, который переключает ток от питающей сети через ячейку с землей. Из-за магнитного туннельного эффекта, электрическое сопротивление ячейки претерпевает изменения, связанные с ориентацией поля в двух пластинах. Измеряя результирующий ток ячейки можно узнать сопротивление ячейки и полярность записи пластины. Как правило, если пластины имеют одинаковую полярность, что соответствует логической единице, а противоположная полярность пластин ячейки соответствует логическому нулю. MRAM имеет схожую производительность с SRAM, плотность подобную DRAM, но гораздо более низкое энергопотребление, чем DRAM, и намного большее быстродействие и не страдает от деградации с течением времени, присущей флэш-памяти. Именно такое сочетание свойств, позволяет в обозримом будущем сделать его "универсальной памятью», способной заменить SRAM, DRAM, EEPROM и флэш-память. Это также объясняет огромное количество исследований, проводимых с целью совершенствования технологии MRAM.
Однако на сегодняшний день, MRAM не получила широкого распространения на рынке.