Кремний на изоляторе

Опубликовано 21.07.2011 Ведущая Ольга Резникова

В настоящее время существует целый ряд технологий, позволяющих заметно увеличить скорость работы полупроводниковых приборов, и столько же заметно уменьшить размер чипа без перехода на более тонкий технологический процесс. Одной из технологий, позволяющих достаточно безболезненно повысить скорость чипов является технология - кремний на изоляторе. Кремний на изоляторе — это технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний-диэлектрик-кремний вместо обычно применяемых монолитных кремниевых пластин. Подложка, выполненная по технологии кремний на изоляторе, представляет собой трёхслойный пакет, который состоит из монолитной кремниевой пластины, диэлектрика и размещённого на нём тонкого поверхностного слоя кремния. В качестве диэлектрика может выступать диоксид кремния или, гораздо реже, сапфир, в этом случае технология называется «кремний на сапфире». Дальнейшее производство полупроводниковых приборов с использованием полученной подложки по своей сути практически ничем не отличается от классической технологии, где в качестве подложки используется монолитная кремниевая пластина. Основное преимущество такой технологии состоит в том, что за счёт тонкости поверхностного слоя и изоляции транзистора от кремниевого основания, удаётся многократно снизить паразитную ёмкость и существенного повысить быстродействие микроэлектронных схем при одновременном снижении потребляемой мощности. Так, например, максимальная частота переключения транзисторов, выполненных по технологическому процессу 130 нм, может достигать 200 ГГц. В перспективе, при переходе к технологическим процессам с меньшим размером активных элементов, возможно ещё большее повышение этого показателя. Эта технология находит всё большее применение в различных полупроводниковых устройствах, наиболее ярким примером, среди которых являются микропроцессоры.