Сдвоенные транзисторы IR в корпусе PQFN2x2 для маломощных применений

Опубликовано 11.08.2011 Ведущий Виталий Дудкин

Компания International Rectifier выпустила новые транзисторы в корпусе PQFN 2мм x 2мм. Новый корпус интегрируют два HEXFET транзистора, выполненных по последней низковольтной технологии для повышения плотности мощности. Транзисторы предназначены для недорогих маломощных приложений, в число которых входят смартфоны, таблеточные компьютеры, видеокамеры, цифровые статические камеры, DC привода, беспроводные индуктивные зарядные устройства, ноутбуки, сервера и сетевое оборудование.
Имя два силовых транзистора в одной корпусе, новые сдвоенные приборы имеют преимущества как в полумостовой топологии, так и в схемах с общим стоком. Транзисторы отличаются сверхнизкими потерями, IRLHS6276, например, интегрирует два транзистора, каждый из которых имеет сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on) 33 мОм на площади 4 кв.мм.
С новыми приборами IR расширяет линейку низковольтных PQFN транзисторов, в которую входят N- и P-канальные транзисторы на напряжения 20 и 30 В с минимальным управляющим напряжением 4.5 или 2.5 В, одиночные и сдвоенные со сверхнизким сопротивлением канала.
Семейство сдвоенных PQFN транзисторов включает P-канальные приборы, оптимизированные для использования в качестве верхних ключей коммутирующих устройств. Высота корпусов транзисторов не превышает 1 мм, приборы пригодны для современной техники поверхностного монтажа, имеют стандартную площадку для монтажа.