Транзистор с плавающим затвором

Опубликовано 27.08.2011 Ведущая Ольга Резникова

Транзистор с плавающим затвором представляет собой одну из разновидностей полевого МОП-транзистора.
Затвор транзистора расположен в глубине диэлектрика на некотором удалении от всех контактов транзистора, что не позволяет электронам, обладающим маленькой энергией, попадать на него. Рядом расположен управляющий затвор. Если к нему приложить напряжение, то многие электроны приобретают настолько высокую энергию, что могут проходить сквозь диэлектрик и осаждаться на плавающем затворе и его заряд из нейтрального становится отрицательным.
Электроны, попавшие на плавающий затвор, могут оставаться там в течение десятков лет, причем их количество не будет уменьшаться, если на транзистор не подается напряжение. Если же приложить к управляющему затвору напряжение противоположного знака, то электроны начинают с него стекать, тем самым разряжая его.
В данном случае плавающий затвор выполняет ту же роль, что и конденсатор в памяти DRAM, он хранит запрограммированную информацию. Такие транзисторы используются в различных устройствах энергонезависимой
памяти: флэш-памяти или EEPROM.