IGBT-транзисторы IR на 1200В для индукционных нагревателей

Опубликовано 20.10.2011 Ведущий Виталий Дудкин

International Rectifier, мировой лидер в технологии управления питанием, представляет два новых высокоэффективных, надежных и сверхбыстрых IGBT транзистора IRG7PH35UD1 и IRG7PH42UD1, оптимизированных для работы в индукционных нагревателях, и приложениях с резонансными переключениями, такими как сварка и высокомощные выпрямители.

При изготовлении новых 1200В IGBT- транзисторов используют Trench- технологию компании IR, чтобы добиться максимально высоких показателей в производительности, включая низкое значение падения напряжения в открытом состоянии и ультрабыстрое переключение для снижения рассеиваемой мощности и достижения более высокой плотности тока. Кроме того, транзисторы устойчивы к повторяющимся пиковым броскам напряжения до 1300В, что дополнительно повышает надежности системы, в которой они работают. IGBT транзисторы разработаны с низким прямым падением напряжения, высоким пиковым током, мягким переключением для оптимальной работы в резонансных цепях.
Эти новые IGBT транзисторы являются дополнением к группе IGBT -транзисторов для электроприводов и коммутирующих цепей. Компания IR фокусирует свое внимание на мощных приложениях, что позволяет оптимизировать устройства для удовлетворения технических требований различных систем питания.