BS170 - Nкан транзистор от Fairchild

Опубликовано 21.01.2012 Ведущий Виталий Дудкин

N – канальный полевой транзистор BS170 производства компании Fairchild Semiconductor разработан с использованием DMOS технологии (МОП-структура, изготовленная методом двойной диффузии). Транзистор обладает низким сопротивлением во включенном состоянии, что обеспечивает высокую переключающую способность. Транзистор может использоваться в большинстве приложений, потребляющих постоянный ток до 500 мА. Применяется при малых токах и низких напряжениях: в сервоприводах, в драйверах мощных транзисторов MOSFET и в других устройствах коммутации.

Особенности:
• Низкое сопротивление RDS (ON).
• Низкое пороговое напряжение затвора
• Большой импульсный ток

Общие сведения
• Сопротивление во включенном состоянии Rds 5 Ом
• Напряжение сток-исток Vdss 60 В
• Напряжение затвор- исток ± 20 В
• Ток стока Id постоянный 500 мА
• импульсный 1200 мА
• Пороговое напряжение затвор-исток (Мах) 3 В
• Входная емкость 40 pF
• Максимальная мощность рассеивания 830 мВт
• Тип корпуса ТО-92.