Молибденит

Опубликовано 25.01.2012 Ведущий Антон Панкратов

Исследования полупроводникового материала молибденита, проведенные в Технологическом Институте в Лозанне, привели к созданию интегральных микросхем, которые значительно меньше и энергоэффективнее классических кремниевых чипов. При создании опытного образца соединили 6 последовательных транзисторов, показавших действие базовой бинарной логики и логических операций с молибденитовыми чипами. Исследователи планируют начать производство более крупных и сложных чипов. Заявлено о возможности использования дисульфид молибдена (МоS2) - минерала, часто встречающегося в природе, производство которого не требует больших затрат. Минерал, найден в крупных месторождениях в штатах Колорадо, Юта и Нью-Мексико, молибденит (MoS2) является слоем молибдена зажатого между двумя «листами» серы. В настоящее время молибденит используется в стальных сплавах и смазочных материалах, однако в будущем исследователи отводят ему место в миниатюрных транзисторах, светодиодах и солнечных элементах. Структура и полупроводниковые свойства материала идеальны для создания транзисторов. Основным преимуществом MoS2 стала возможность уменьшить размер транзисторов, сделать их миниатюрными. Молибденитовые транзисторы могут быть не только меньше кремниевых, но способны быстрее переключаться, позволяя оперативнее проводить вычислительные операции. «В "листе" MoS2 толщиной 0,65 миллимикрон электроны могут перемещаться также легко как и в "листе" кремния толщиной в 2 миллимикрона. Однако в настоящее время невозможно сделать "лист" кремния таким же тонким как и монослойный "лист" MoS2».Все это делает молибденит перспективным материалом электроники будущего.