FCP22N60N, высоковольтный N-кан MOSFET на 600В от Fairchild

Опубликовано 25.01.2012 Ведущий Виталий Дудкин

FCP22N60N –представитель семейства высоковольтных MOSFET-транзисторов SupreMOS™ компании Fairchild Semiconductor. SupreMOS - это новое поколение 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти MOSFET-ы – отличаются минимальным сопротивлением открытого канала и имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить надежность резонансных, LLC и мостовых преобразователей импульсных источников питания (SMPS).
FCP22N60N, будучи ориентированным на применение в источниках питания, обладает малым значением RDS(ON) (165 мОм) и очень малым зарядом затвора (14.5 нКл).
MOSFET-транзистор доступен в стандартном и изолированном корпусах TO220. Значение dv/dt транзистора составляет 100 В/нс, а встроенного диода – 20 В/нс. Указанные рабочие характеристики особенно важны в таких применениях как каскады коррекции коэффициента мощности и резонансные преобразователи.
Отличительные особенности
• Сопротивление открытого канала RDS(ON) = 0.140 Ом, при VGS = 10 В, ID = 11 А
• Напряжение пробоя сток-исток BVDSS > 650 В, при температуре корпуса TJ = 150°C
• Сверхмалый заряд затвора QG = 45 нКл (тип.)
• Низкая эффективная выходная емкость
• 100% протестирован на лавинный пробой