Полупроводниковые фотоконденсаторы

Опубликовано 29.02.2012 Ведущий Антон Панкратов

В отличие от фотосопротивлений до сих пор не получили широкого распространения приборы основанные на явлении изменения своей емкость при различной степени освещённости получившие по аналогии название фотоконденсаторов. Впервые подобное явление было обнаружено советским физиком Лосевым в 1931 году при выявлении оптимальных соотношений полупроводников и проводящих составов для композитных фотосопротивлений. Образец, приготовленный из взвеси полупроводника (предположительно оксида цинка или сульфида кадмия) в глицерине, анилине или пиридине, при изменении освещённости не менял своего сопротивления, но вместо этого изменил свою емкость. Наиболее эффективными свойствами проявили себя сопротивления на базе порошков кремния с примесями алюминия, меди и железа, а также минералы прустит, молибденит и аргентит. При этом сопротивление подобных фотоконденсаторов между выводами (сопротивление утечки) составляет десятки и сотни мегаом и практически не вносит искажения в работу усилительного каскада, подключаемого параллельно ему. В последние годы определенный интерес к данным приборам появился в связи с возможностью их использования в схемах управления солнечными батареями.