IRFB812PBF новый силовой транзистор на 500В от IR

Опубликовано 29.03.2012 Ведущий Виталий Дудкин

Компания International Rectifier вновь приступила к производству полевых силовых HEXFET транзисторов. Первой моделью стал 500В транзистор IRFB812PBF. Транзисторы предназначены для импульсных источников питания с «мягким» переключением (нуль-вольтовым), для бесперебойных источников питания и систем управления электроприводом.
Преимущества: быстродействующий диод уменьшает число внешних компонентов обвязки;- низкий заряд затвора упрощает управление; высокий порог напряжения затвора улучшает стойкость прибора к шумам.
Технические характеристики:
Корпус: ТО-220АВ
Напряжение пробоя: 500В
Макс. напряжение затвора: 20В
Сопротивление открытого канала макс. (10 В): 2200 мОм
Ток стока (25°С): 3.6А
Заряд затвора: 13.3 нКл
Термосопротивление: 1.6 К/Вт
Мощность рассеяния (25°С): 78Вт