Транзисторная сборка в устройстве защиты

Опубликовано 01.09.2012 Ведущий Валерий Харыбин

Схема устройства защиты построена с применением транзисторной сборки IRF7316, в состав которой входят два мощных полевых p-канальных транзистора. Суммарная рассеиваемая мощность сборки составляет около 2Вт. Устройство работает так. При подаче номинального входного напряжения основная его часть будет приложена между затвором и истоком транзистора VT1.2, поэтому он откроется, и далее напряжение поступит на нагрузку. Если по каким либо причинам входное напряжение увеличится сверх допустимого, то транзистор VT1.1 начнет открываться, напряжение на нем уменьшится, а транзистор VT1.2 закроется, в результате чего нагрузка будет отключена. Благодаря высокой крутизне передаточной характеристики транзистор VT1.1 с успехом заменяет источник образцового напряжения и компаратор. Нестабильность входного напряжения может вызвать многократные переключения устройства, т.е. дребезг. Для предотвращения этого в схему введена положительная обратная связь через резистор R4. Благодаря этому, уменьшение выходного напряжения приводит к увеличению напряжения затвор/ исток транзистора VT1.1, и он открывается еще сильнее, а транзистор VT1.2 закрывается, и выходное напряжение еще больше уменьшается. Таким образом, устройство имеет два устойчивых состояния, а переключение между ними происходит скачком. Светодиод HL1 индицирует об отключении нагрузки. Подстроечный резистор R1 устанавливает напряжение отключения устройства. Ширину зоны гистерезиса устанавливают подбором резистора R4.