Вакуумный нанотранзистор

Опубликовано 23.02.2013 Ведущий Антон Панкратов

Идея совмещения принципов работы вакуумного и полупроводникового приборов интересовала разработчиков, начиная с первого этапа развития полупроводниковой техники. С переходом на нано уровень появилась возможность реализации подобных проектов. Исследователи из бостонского университета создали устройство на базе кристалла арсенида галлия, способное модулировать сигнал на резонансной частоте 0.46 терагерц. Оно создается путем легирования миниатюрных полостей в полупроводниковом материале. Полость граничит с тремя электродами, такими же, как у полевого транзистора. Расстояние между истоком и стоком составляет всего 150 нанометров, а затвор находится над ними. Электроны вылетают из истока, благодаря приложенному между ним и каналом положительному потенциалу. При этом затвор управляет потоком электронов проходящих через полость. Благодаря миниатюрным размерам устройства, в нем нет необходимости создания высокого вакуума, чтобы заставить его работать, так как вероятность столкновения электронов с молекулами воздуха очень мала в нанометровом масштабе. Наряду с высоким быстродействием подобные устройства представляют большой интерес для космических и военных применений, так как обладают обычной для вакуумных приборов устойчивостью к радиационному воздействию.