IRF6718– первый транзистор компании International Rectifier в корпусе large can DirectFET

Опубликовано 01.05.2013 Ведущая Ольга Резникова

В 2009 году компания International Rectifier представила свой первый транзистор IRF6718 в корпусе large can DirectFET. Данная технология позволила получить очень низкое значение сопротивления открытого канала RDS(on), равное 0,5 мОм, (типовое значение при напряжении 10 В) и уменьшить на 60% место на печатной плате и на 85% снизить высоту корпуса по сравнению с D2PAK. Эта технология корпусирования кристалла позволяет изготавливать DirectFET-транзисторы со значительным уменьшением потери проводимости. Ввиду того, что отсутствует разварка кристалла и нет пластмассового корпуса, достигается максимальное соотношение «площадь кристалла/площадь корпуса» и значительно улучшается тепловая эффективность всей системы. Транзистор применяется как DC-переключатели типа: активный O-Ring (силовая схема ИЛИ соединения источников питания),Hot Swap (горячая замена без отключения электропитания и прекращения работы),E-Fuse (электронный предохранитель). IRF6718 имеет улучшенную область безопасной работы (SOA - Safe Operating Area) с возможностью Hot Swap и E-Fuse. Устройство соответствует нормам RoHS. В линейку транзисторов на напряжение 25 В в корпусах DirectFET также входит транзистор IRF6717 в корпусе medium can и транзистор IRF6713 в корпусе small can.