Микросхемы памяти на 3D-полевых транзисторах

Опубликовано 01.01.2014 Ведущий Антон Панкратов

Новейшим вариантом полупроводниковой памяти, сообщение о которой появились в начале декабря 2013 года, является память на основе трёхмерных транзисторов FinFET, созданных компанией TSMC.В этой разработке использована технология 16нМ разработанная для создания «систем на чипе» (SoC), которые могут использоваться в мобильных устройствах и другой компактной электронике. Опытный чип памяти объемом 128Мбит на базе транзисторов FinFit создан по схеме кольцевого генератора. Использование новой технологии производства транзисторов делает такую память более быстродействующей или позволяет при той же тактовой скорости понизить энергопотребление чипов памяти на 55 процентов. Массовое производство микросхем использующих технологию 16нМ будет начато уже в 2014году, что на год раньше, чем объявленные ранее планы по выпуску микросхем нового поколения.