Транзисторы полевые N-канальные, стр.11

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FCH35N60, Транзистор, N-канал 600В 35А [TO-247]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.098 Ом/17.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312
Крутизна характеристики, S: 28.8
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
750 руб. ×
от 15 шт. — 720 руб.
FCP13N60N, Транзистор, N-канал 600В 13А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.258 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 116
Крутизна характеристики, S: 16.3
Корпус: to-220
быстрый просмотр
610 руб. ×
от 10 шт. — 543 руб.
FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 134
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: to-220
быстрый просмотр
1 040 руб. ×
от 15 шт. — 982 руб.
FCP22N60N, Транзистор, N-канал 600В 22А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205
Крутизна характеристики, S: 22
Корпус: to-220
быстрый просмотр
730 руб. ×
от 15 шт. — 680 руб.
FCPF11N60NT, Транзистор, N-канал 600В 10.8А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32.1
Крутизна характеристики, S: 13.5
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
480 руб. ×
от 15 шт. — 434 руб.
FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35.7
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
670 руб. ×
от 15 шт. — 623 руб.
FCPF7N60, Транзистор N-MOSFET 600В 7А 31Вт [TO-220F]
355 шт.
Бренд: Inchange
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/3.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 31
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
355 шт.
230 руб. ×
от 100 шт. — 205 руб.
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.26 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 388
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
580 руб. ×
от 15 шт. — 522 руб.
FDA24N40F, Транзистор, MOSFET N-CH 400В 23А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/11.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235
Крутизна характеристики, S: 29
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
670 руб. ×
от 15 шт. — 612 руб.
FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
570 руб. ×
от 15 шт. — 495 руб.
FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
680 руб. ×
от 15 шт. — 621 руб.
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
1 020 руб. ×
от 15 шт. — 980 руб.
FDA38N30, Транзистор, UniFET, N-канал, 300В, 38А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/19А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
540 руб. ×
от 15 шт. — 462 руб.
FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 392
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
370 руб. ×
от 15 шт. — 315 руб.
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
610 руб. ×
от 15 шт. — 597 руб.
FDA69N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 69А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 69
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.041 Ом/34.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 480
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
600 руб. ×
от 15 шт. — 537 руб.
FDC655BN, Транзистор, PowerTrench, Logic Level, N-канал, 30В, 3.6А [SSOT-6]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/6.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.6
Корпус: SuperSOT-6/SOT-23-6
быстрый просмотр
100 руб. ×
от 25 шт. — 89 руб.
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
210 руб. ×
от 15 шт. — 175 руб.
FDD8447L, Транзистор, N-канал 40В 50А [D-PAK]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0085 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 141 руб.
FDN337N, Транзистор N-канал 30В 2.2А [SOT-23-3]
17521 шт.
Бренд: FUXINSEMI
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
17521 шт.
8 руб. ×
от 5 шт. — 7.50 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60