Транзисторы биполярные с изолированным затвором 1200 В69 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]
401 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-3p
быстрый просмотр
401 шт.
300 руб. ×
от 15 шт. — 286 руб.
от 150 шт. — 284 руб.
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
4078 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-3p
быстрый просмотр
4078 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 227 руб.
от 150 шт. — 225 руб.
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]
239 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247g03
быстрый просмотр
239 шт.
480 руб. ×
от 15 шт. — 462 руб.
от 150 шт. — 460 руб.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
1518 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
1518 шт.
690 руб. ×
от 15 шт. — 663 руб.
от 150 шт. — 659 руб.
HGTG10N120BND, IGBT транзистор, [TO-247]
185 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 35
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
185 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 279 руб.
от 150 шт. — 276 руб.
HGTG11N120CND, Транзистор IGBT 1200В 43А 298Вт [TO-247]
646 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 43
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 298
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 180
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
646 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 336 руб.
от 150 шт. — 334 руб.
HGTG5N120BND, Транзистор IGBT NPT 1200В 21А 167Вт [TO-247]
546 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 21
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
546 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 218 руб.
IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
175 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 75
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 190
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 560
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
175 шт.
330 руб. ×
от 15 шт. — 308 руб.
от 150 шт. — 305 руб.
IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)
448 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 105
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 270
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 48
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
448 шт.
450 руб. ×
от 15 шт. — 437 руб.
от 150 шт. — 434 руб.
IGW60T120FKSA1 (G60T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 60А 375Вт [PG-TO-247-3]
388 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 480
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: pg-to-247-3
быстрый просмотр
388 шт.
540 руб. ×
от 3 шт. — 515 руб.
от 30 шт. — 510 руб.
IKQ40N120CT2XKSA1 (K40MCT2), Транзистор, IGBT TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А, 2-20кГц, [PG-TO247-3]
78 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trenchstop 2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.15
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 328
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3-46
быстрый просмотр
78 шт.
870 руб. ×
от 15 шт. — 846 руб.
от 150 шт. — 844 руб.
IKW15N120H3FKSA1 (K15H1203), Транзистор IGBT, N-канальный, 1200 В, 30 А, 217 Вт, [TO-247]
314 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 217
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
314 шт.
400 руб. ×
от 15 шт. — 378 руб.
от 150 шт. — 376 руб.
IKW25N120H3FKSA1 (K25H1203), Транзистор IGBT TrenchStop 1200В 25А [PG-TO247-3]
698 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 326
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 277
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
698 шт.
560 руб. ×
от 15 шт. — 534 руб.
от 150 шт. — 532 руб.
IKW25N120T2FKSA1 (K25T1202), Транзистор IGBT TrenchStop 2 1200В 25А [PG-TO247-3]
331 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trenchstop 2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 265
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
331 шт.
560 руб. ×
от 15 шт. — 530 руб.
от 150 шт. — 527 руб.
IKW40N120H3FKSA1 (K40H1203), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]
24 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 483
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 290
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
24 шт.
740 руб. ×
от 15 шт. — 716 руб.
от 150 шт. — 713 руб.
IKW40N120T2FKSA1 (K40T1202), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP 2, 1200В, 40А [PG-TO-247-3]
266 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trenchstop 2
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 480
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 314
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
266 шт.
840 руб. ×
от 15 шт. — 828 руб.
от 150 шт. — 826 руб.
IKY75N120CH3XKSA1 (K75MCH3), Транзистор, IGBT HighSpeed 3, N-CH, 1200В, 75А, 18...60 кГц [PG-TO247-4-2]
331 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: high speed h3
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.35
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 938
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 38
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 303
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175
Корпус: pg-to247-4-2
быстрый просмотр
331 шт.
1 760 руб. ×
от 15 шт. — 1 740 руб.
от 150 шт. — 1 737 руб.
SGP02N120XKSA1 (GP02N120), Транзистор IGBT 1200В 6.2А 62Вт [TO-220]
107 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 6.2
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 9.6
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 62
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 23
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
107 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 222 руб.
от 150 шт. — 221 руб.
SGP07N120XKSA1 (GP07N120), FastIGBT 1200В 8A, [TO-220]
61 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16.5
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 27
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 440
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
61 шт.
230 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
от 150 шт. — 219 руб.
SGP15N120XKSA1 (GP15N120), Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 30 А, 198 Вт, (замена для BUP213), [TO-220]
203 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 198
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 580
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: pg-to-220-3-1
быстрый просмотр
203 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 359 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60