Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › 600 В

Транзисторы биполярные с изолированным затвором 600 В, стр.3

_{88 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGW39NC60VD, Транзистор PowerMESH IGBT N-CH 600V 40A, [TO-247-3] 153 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 33 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 178 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	153 шт.	450 руб. × от 15 шт. — 402 руб.
STGW40V60DF, Транзистор IGBT 600V 80A 283W, [TO-247] 252 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 283 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 52 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	252 шт.	790 руб. × от 10 шт. — 747 руб.
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247] 163 шт. Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	163 шт.	1 400 руб. × от 15 шт. — 1 380 руб.
CRG40T60AN3H, Транзистор IGBT 600В 40А 280Вт Trench FS III [TO-3P(N)] 10 недель, 120 шт. Бренд: CRMICRO Технология/семейство: Trench FS III Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 280 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46.8 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 147.7 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-3P(N)	быстрый просмотр	10 недель, 120 шт.	140 руб. × от 15 шт. — 125 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		770 руб. × от 15 шт. — 698 руб.
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр		420 руб. × от 15 шт. — 390 руб.
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: Field Stop/Gen 2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247-3LD	быстрый просмотр		500 руб. × от 15 шт. — 465 руб.
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] 7 дней, 1 шт. Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	7 дней, 1 шт.	280 руб. ×
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		300 руб. × от 15 шт. — 265 руб.
HGTG20N60A4, Транзистор IGBT 600В 70А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		600 руб. × от 15 шт. — 563 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		600 руб. × от 15 шт. — 563 руб.
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		570 руб. × от 15 шт. — 473 руб.
HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		750 руб. × от 15 шт. — 695 руб.
HGTG30N60A4, Транзистор IGBT 600В 75А, [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		700 руб. × от 15 шт. — 653 руб.
HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247] Бренд: ON Semiconductor Технология/семейство: SMPS Series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		700 руб. × от 15 шт. — 653 руб.
HGTG40N60B3, Транзистор, UFS IGBT, N-канал, 70А, 600В, [TO-247] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFS Series Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 330 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 47 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 170 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр		1 100 руб. × от 15 шт. — 1 080 руб.
IRG4BC20UD-SPBF, IGBT 600В 13А 8-60кГц, [D2-Pak] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 13 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 60 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: d2pak	быстрый просмотр		120 руб. × от 15 шт. — 105 руб.
IRG4PC30UDPBF, Транзистор IGBT 600В 23А, [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 030 руб. × от 15 шт. — 960 руб.
IRGB4062DPBF, Транзистор IGBT 600В 48А [TO-220AB] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 48 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 72 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.95 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 41 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		240 руб. × от 15 шт. — 225 руб.
IRGB4610DPBF, Транзистор, IGBT, 600В, 10А, [TO-220AB] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 6.2 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 16 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 18 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 77 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 27 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		180 руб. × от 10 шт. — 162 руб.