Транзисторы биполярные с изолированным затвором 600 В161 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
1103 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1103 шт.
410 руб. ×
от 15 шт. — 392 руб.
от 150 шт. — 389 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
3325 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
3325 шт.
400 руб. ×
от 15 шт. — 378 руб.
от 150 шт. — 376 руб.
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
1528 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1528 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 344 руб.
от 150 шт. — 340 руб.
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
666 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
666 шт.
500 руб. ×
от 15 шт. — 472 руб.
от 150 шт. — 470 руб.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
1269 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1269 шт.
650 руб. ×
от 15 шт. — 633 руб.
от 150 шт. — 630 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
528 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
528 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 351 руб.
от 150 шт. — 348 руб.
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
60 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
60 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 303 руб.
от 150 шт. — 302 руб.
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]
188 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247d03
быстрый просмотр
188 шт.
690 руб. ×
от 15 шт. — 662 руб.
от 150 шт. — 659 руб.
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS]
147 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen6
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25
Корпус: TO-220SIS
быстрый просмотр
147 шт.
140 руб. ×
от 15 шт. — 126 руб.
от 150 шт. — 120 руб.
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
10 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-16f1a
быстрый просмотр
10 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 276 руб.
от 150 шт. — 274 руб.
GT50J325, Транзистор, IGBT, 600В, 50А [2-21F2C]
101 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 240
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-21f2c
быстрый просмотр
101 шт.
620 руб. ×
от 15 шт. — 600 руб.
от 150 шт. — 598 руб.
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
3162 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen 6.5
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 330
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3p(n)
быстрый просмотр
3162 шт.
220 руб. ×
от 15 шт. — 202 руб.
от 150 шт. — 200 руб.
HGTG12N60A4D, Транзистор IGBT 600В 54А 167Вт [TO-247]
801 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 54
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 96
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 167
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 96
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
801 шт.
260 руб. ×
от 15 шт. — 232 руб.
от 150 шт. — 230 руб.
HGTG20N60A4, IGBT 600В 70А [TO-247]
1334 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1334 шт.
370 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
HGTG20N60A4D, Транзистор IGBT 600В 70А 290Вт встроенный диод [TO-247]
988 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 70
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 280
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 73
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
988 шт.
340 руб. ×
от 15 шт. — 323 руб.
от 150 шт. — 321 руб.
HGTG20N60B3 [HG20N60B3], Транзистор IGBT UFS 600В 40А 165Вт [TO-247AC]
188 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
188 шт.
270 руб. ×
от 15 шт. — 237 руб.
от 150 шт. — 234 руб.
HGTG20N60B3D, Транзистор, IGBT, UFS, 600В, 40А [TO-247]
440 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: ufs
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 165
Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
440 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 299 руб.
от 150 шт. — 297 руб.
HGTG30N60A4, IGBT 600В 75А, [TO-247]
1902 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: нет
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1902 шт.
390 руб. ×
от 15 шт. — 372 руб.
от 150 шт. — 370 руб.
HGTG30N60A4D, IGBT+ диод 600В 75А [TO-247]
683 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: SMPS
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 150
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
683 шт.
580 руб. ×
от 15 шт. — 564 руб.
от 150 шт. — 562 руб.
IKW20N60TFKSA1 (K20T60), Транзистор IGBT, TRENCHSTOP and Fieldstop, 600В, 20А [PG-TO247-3]
305 шт.
Пр-во: Infineon
Технология/семейство: trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.05
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 166
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 199
Корпус: pg-to247-3
быстрый просмотр
305 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 294 руб.
от 150 шт. — 292 руб.
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60