Транзисторы биполярные с изолированным затвором с встроенным диодом185 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Производители
Технология/семейство
Наличие встроенного диода
Максимальное напряжение КЭ ,В
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
Импульсный ток коллектора (Icm), А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
Рабочая температура (Tj), °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Алматы
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FGA15N120ANTDTU-F109, Транзистор, IGBT, NPT Trench, 1200В, 15А [TO-3PN]
403 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 186
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 160
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-3p
быстрый просмотр
403 шт.
300 руб. ×
от 15 шт. — 286 руб.
от 150 шт. — 284 руб.
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO-3PN]
4104 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.65
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 312
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 50
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 190
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-3p
быстрый просмотр
4104 шт.
240 руб. ×
от 15 шт. — 227 руб.
от 150 шт. — 225 руб.
FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]
48 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
48 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
от 150 шт. — 358 руб.
FGA60N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А [TO-3PN]
833 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
833 шт.
500 руб. ×
от 15 шт. — 474 руб.
от 150 шт. — 472 руб.
FGA6540WDF, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, 650В, 40А [TO-3PN]
523 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 238
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 16.8
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.4
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: TO-3PN
быстрый просмотр
523 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 285 руб.
от 150 шт. — 282 руб.
FGH15T120SMD_F155, Транзистор, Field Stop Trench, IGBT, 1200В, 15А, 333Вт, (=HGTG5N120BND), [TO-247]
239 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 32
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 490
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247g03
быстрый просмотр
239 шт.
480 руб. ×
от 15 шт. — 462 руб.
от 150 шт. — 460 руб.
FGH30S130P, Транзистор, IGBT, Field Stop Trench, Shorted-anode, 1300В, 30А [TO-247]
393 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 620
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
393 шт.
470 руб. ×
от 15 шт. — 453 руб.
от 150 шт. — 450 руб.
FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]
1336 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 115
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1336 шт.
410 руб. ×
от 15 шт. — 392 руб.
от 150 шт. — 389 руб.
FGH40N60SMD, Транзистор, IGBT, 600В, 80А, 349Вт [TO-247]
3591 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 349
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 12
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 92
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
3591 шт.
400 руб. ×
от 15 шт. — 378 руб.
от 150 шт. — 376 руб.
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
1609 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 112
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1609 шт.
350 руб. ×
от 15 шт. — 344 руб.
от 150 шт. — 340 руб.
FGH40T100SMD, Транзистор IGBT, 1000 В, 80 А, 333 Вт, [TO-247-3]
288 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: trench and fieldstop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 285
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247a03
быстрый просмотр
288 шт.
470 руб. ×
от 15 шт. — 440 руб.
от 150 шт. — 437 руб.
FGH60N60SFDTU, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
893 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 378
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 22
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 134
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
893 шт.
500 руб. ×
от 15 шт. — 472 руб.
от 150 шт. — 470 руб.
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
1353 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 120
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 180
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 600
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 18
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 104
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247
быстрый просмотр
1353 шт.
650 руб. ×
от 15 шт. — 633 руб.
от 150 шт. — 630 руб.
FGH80N60FDTU, Транзистор, Field Stop, IGBT, 600В, 80А, 290Вт (=SGH80N60UFTU), [TO-247]
755 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.4
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 290
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 21
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 126
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-247
быстрый просмотр
755 шт.
380 руб. ×
от 15 шт. — 351 руб.
от 150 шт. — 348 руб.
FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]
1520 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 64
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 160
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 500
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 15
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
1520 шт.
690 руб. ×
от 15 шт. — 663 руб.
от 150 шт. — 659 руб.
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
776 шт.
Пр-во: Fairchild
Технология/семейство: npt trench
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
776 шт.
420 руб. ×
от 15 шт. — 392 руб.
от 150 шт. — 388 руб.
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
96 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: npt
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 45
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 178
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 9.3
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 54.8
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: to-220
быстрый просмотр
96 шт.
320 руб. ×
от 15 шт. — 303 руб.
от 150 шт. — 302 руб.
FGY75N60SMD, Транзистор, Field Stop IGBT 600В 75А [Power TO247 / TO-247D03]
198 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Технология/семейство: field stop
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 150
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 750
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 136
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-247d03
быстрый просмотр
198 шт.
690 руб. ×
от 15 шт. — 662 руб.
от 150 шт. — 659 руб.
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A]
17 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen4
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150
Корпус: 2-16f1a
быстрый просмотр
17 шт.
290 руб. ×
от 15 шт. — 276 руб.
от 150 шт. — 274 руб.
GT40WR21,Q(O, Транзистор IGBT 1800В 40А 375Вт [TO-3P(N)]
174 шт.
Пр-во: Toshiba
Технология/семейство: gen 6.5
Наличие встроенного диода: да
Максимальное напряжение КЭ ,В: 1800
Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А: 80
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375
Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175
Корпус: to-3p(n)
быстрый просмотр
174 шт.
880 руб. ×
от 10 шт. — 795 руб.
от 100 шт. — 767 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60