Мой регион:
Режим цен:
Сортировка: По названию Дешевле Дороже
Производители
Время Доступа
Количество Выводов
Конфигурация Флэш-памяти
Линия Продукции
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Рабочая Температура
Минимальное Напряжение Питания
Размер Памяти
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Тактовая Частота
Тип Интерфейса ИС
Тип памяти
Упаковка
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
A25L016M-F, Флеш память, низковольтная, 16 Мбит, 16М x 1бит, 100 МГц, Последовательный, SPI, SOP, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 16М x 1бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOP
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
190
от 10 шт. — 160
от 100 шт. — 119
A25L016N-F, Флеш память, 16 Мбит, 16М x 1бит, 100 МГц, Последовательный, SPI, SOIC, 16 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 16вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 16М x 1бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
60
от 100 шт. — 48
A25L020CO-F, Флеш память, 2 Мбит, 256К x 8бит, 100 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 256К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 2Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 2 - 1 год
Добавить к сравнению
2-3 недели
62
от 10 шт. — 60
A25L032M-F, Флеш память, двойной I/O, низкое напряжение, 32 Мбит, 32М x 1бит, 100 МГц, Последовательный, SPI
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 1бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 32Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOP
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
390
от 10 шт. — 204
A25L080M-F, Флеш память, низковольтная, 8 Мбит, 8М x 1бит, 100 МГц, Последовательный, SPI, SOP, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: AMIC
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 1бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 70°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: 0°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOP
Тактовая Частота: 100МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
72
от 10 шт. — 56
AT45DB041E-SHN-B, Флеш память, последовательная, 4 Мбит, 2048 Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2048 Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.65В
Размер Памяти: 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
110
от 10 шт. — 90
от 100 шт. — 78
AT45DB041E-SSHN-B, Флеш память, последовательная, 4 Мбит, 2048 Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2048 Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.65В
Размер Памяти: 4Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
110
от 10 шт. — 90
от 100 шт. — 78
AT45DB081E-SHN-B, Флеш память, последовательная, 8 Мбит, 4096 Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4096 Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.7В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
150
от 10 шт. — 126
от 100 шт. — 110
AT45DB081E-SSHN-B, Флеш память, последовательная, 8 Мбит, 4096 Страниц x 256Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4096 Страниц x 256Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.7В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Последовательная Флэш
Упаковка: Разрезная Лента
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
150
от 10 шт. — 126
от 100 шт. — 110
AT45DB161E-SHD-B, Флеш память, DataFlash®, 16 Мбит, 4096 Страниц x 528Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4096 Страниц x 528Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.5В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
170
от 10 шт. — 135
от 100 шт. — 119
AT45DB161E-SSHD-B, Флеш память, DataFlash®, 16 Мбит, 4096 Страниц x 528Байт, 85 МГц, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Adesto
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4096 Страниц x 528Байт
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.5В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 85МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Добавить к сравнению
2-3 недели
240
от 10 шт. — 166
от 25 шт. — 154
JR28F064M29EWLA, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
160
от 10 шт. — 157
JS28F00AM29EWHA, Флеш память, NOR, 1 Гбит, 128М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 128М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 1Гбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 570
от 10 шт. — 1 360
JS28F128P33TF70A, Флеш память, NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 16М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 128Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
570
от 10 шт. — 520
JS28F256M29EWLA, Флеш память, NOR, 256 Мбит, 32М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 256Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
580
от 10 шт. — 535
от 100 шт. — 493
JS28F512M29EWHA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 64М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
690
от 10 шт. — 629
от 100 шт. — 578
JS28F512M29EWLA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 64М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
560
от 10 шт. — 512
от 100 шт. — 471
JS28F512P33EFA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 32М x 16бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 105нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 280
от 10 шт. — 1 120
от 100 шт. — 982
JS28F640P33TF70A, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 4М x 16бит, 40 МГц, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тактовая Частота: 40МГц
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
390
от 10 шт. — 332
от 100 шт. — 296
LE25S20FD-AH, Флеш память, последовательная, 2 Мбит, 256К x 8бит, 40 МГц, SPI, NSOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: ON Semiconductor
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 256К x 8бит
Линия Продукции: 1.8V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 1.95В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 1.65В
Размер Памяти: 2Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: NSOIC
Тактовая Частота: 40МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
69
от 10 шт. — 56
от 100 шт. — 39
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая