FLASH Micron, (таблица) 50 из 216

Сортировка: По названию Дешевле Дороже
Производители
Время Доступа
Количество Выводов
Конфигурация Флэш-памяти
Линия Продукции
Максимальная Рабочая Температура
Максимальное Напряжение Питания
Минимальная Рабочая Температура
Минимальное Напряжение Питания
Размер Памяти
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти
Тактовая Частота
Тип Интерфейса ИС
Тип памяти
Упаковка
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
Цена
Мин. цена
Макс. цена
 
 
JR28F064M29EWLA, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 8М x 8бит, Параллельный, TSOP, 48 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 48вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 8М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
160
от 10 шт. — 157
JS28F00AM29EWHA, Флеш память, NOR, 1 Гбит, 128М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 128М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 1Гбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 570
от 10 шт. — 1 360
JS28F128P33TF70A, Флеш память, NOR, 128 Мбит, 16М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 16М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 128Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
570
от 10 шт. — 520
JS28F256M29EWLA, Флеш память, NOR, 256 Мбит, 32М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 256Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
580
от 10 шт. — 535
от 100 шт. — 493
JS28F512M29EWHA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 64М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
690
от 10 шт. — 629
от 100 шт. — 578
JS28F512M29EWLA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 64М x 8бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 110нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64М x 8бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
560
от 10 шт. — 512
от 100 шт. — 471
JS28F512P33EFA, Флеш память, NOR, 512 Мбит, 32М x 16бит, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 105нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 32М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 512Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
1 280
от 10 шт. — 1 120
от 100 шт. — 982
JS28F640P33TF70A, Флеш память, NOR, 64 Мбит, 4М x 16бит, 40 МГц, Параллельный, TSOP, 56 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 70нс
Количество Выводов: 56вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4М x 16бит
Линия Продукции: 3V Parallel NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 64Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: TSOP
Тактовая Частота: 40МГц
Тип Интерфейса ИС: Параллельный
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
390
от 10 шт. — 332
от 100 шт. — 296
M25P05-AVMN6P, Флеш память, 512 Кбит, 64К x 8бит, 50 МГц, Последовательный, SPI, SOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 64К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 512Кбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 50МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
150
от 10 шт. — 122
от 100 шт. — 100
M25P16-VMF6P, Флеш память, 16 Мбит, 2М x 8бит, 50 МГц, Последовательный, SPI, SOIC, 16 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Время Доступа: 1.4мс
Количество Выводов: 16вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: SOIC
Тактовая Частота: 50МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
110
от 10 шт. — 100
от 100 шт. — 95
M25P16-VMN6P, Флеш память, 16 Мбит, 2М x 8бит, 75 МГц, Последовательный, SPI, NSOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: NSOIC
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
67
от 10 шт. — 55
от 100 шт. — 47
M25P16-VMP6G, Флеш память, 16 Мбит, 2М x 8бит, 75 МГц, Последовательный, SPI, VFQFPN, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: VFQFPN
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Добавить к сравнению
2-3 недели
84
от 10 шт. — 73
от 100 шт. — 62
M25P16-VMW6G, Флеш память, 16 Мбит, 2М x 8бит, 75 МГц, Последовательный, SPI, WSOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: WSOIC
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
240
от 10 шт. — 161
от 100 шт. — 125
M25P20-VMP6G, Флеш память, низковольтная, 2 Мбит, 256К x 8бит, 50 МГц, Последовательный, SPI, VDFPN, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 256К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 2Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: VDFPN
Тактовая Частота: 50МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
150
от 10 шт. — 137
от 100 шт. — 124
M25P20-VMP6GB, Флеш память, NOR, 2 Мбит, 256К x 8бит, 75 МГц, SPI, DFN, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 256К x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.3В
Размер Памяти: 2Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: DFN
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
81
от 10 шт. — 70
от 100 шт. — 61
M25P32-VME6G, Флеш память, NOR, 32 Мбит, 4М x 8бит, 50 МГц, Последовательный, SPI, VDFPN, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 4М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 32Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: VDFPN
Тактовая Частота: 50МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
130
от 10 шт. — 117
от 100 шт. — 114
Добавить к сравнению
2-3 недели
45
от 10 шт. — 39
от 100 шт. — 31
M25P80-VMN6P, Флеш память, 8 Мбит, 1М x 8бит, 75 МГц, Последовательный, SPI, NSOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 1М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: NSOIC
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
90
от 10 шт. — 80
M25P80-VMW6G, Флеш память, низковольтная, 8 Мбит, 1М x 8бит, 75 МГц, Последовательный, SPI, WSOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 1М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 8Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: WSOIC
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: Последовательный, SPI
Тип памяти: Флэш
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
380
от 10 шт. — 347
M25PE16-VMW6G, Флеш память, NOR, 16 Мбит, 2М x 8бит, 75 МГц, SPI, WSOIC, 8 вывод(-ов)
2-3 недели
Пр-во: Micron
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Конфигурация Флэш-памяти: 2М x 8бит
Линия Продукции: 3V Serial NOR Flash Memories
Максимальная Рабочая Температура: 85°C
Максимальное Напряжение Питания: 3.6В
Минимальная Рабочая Температура: -40°C
Минимальное Напряжение Питания: 2.7В
Размер Памяти: 16Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти: WSOIC
Тактовая Частота: 75МГц
Тип Интерфейса ИС: SPI
Тип памяти: Флэш - ИЛИ-НЕ
Упаковка: Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 3 - 168 часов
Добавить к сравнению
2-3 недели
130
от 10 шт. — 109
от 100 шт. — 95
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая