МОП-транзисторы - 600В или >, (таблица)48 из более 1000

Сортировка: По названиюДешевлеДороже
Производители
Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
Стандарты Автомобильной Промышленности
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции
Transistor Mounting
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
AUIRF7647S2TR, Силовой МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 100 В, 24 А, 0.026 Ом, DirectFET SC, Surface Mount
5-6 недель, 2704 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET SC
Рассеиваемая Мощность: 41Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 100В
Непрерывный Ток Стока: 24А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.026Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
2704 шт.
430 руб. ×
от 10 шт. — 320 руб.
от 100 шт. — 272 руб.
AUIRF7648M2TR, Силовой МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 60 В, 68 А, 0.0055 Ом, DirectFET M4, Surface Mount
5-6 недель, 3394 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 9вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET M4
Рассеиваемая Мощность: 63Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 60В
Непрерывный Ток Стока: 68А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0055Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
3394 шт.
670 руб. ×
от 10 шт. — 498 руб.
от 100 шт. — 425 руб.
AUIRFN8405TR, Силовой МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 40 В, 187 А, 0.0016 Ом, PQFN, Surface Mount
5-6 недель, 3327 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: PQFN
Рассеиваемая Мощность: 136Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 40В
Непрерывный Ток Стока: 187А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0016Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 3.9В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
3327 шт.
430 руб. ×
от 10 шт. — 319 руб.
от 100 шт. — 262 руб.
AUIRFP4568, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 150 В, 171 А, 0.0048 Ом, TO-247AC, Through Hole
5-6 недель, 72 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: to-247ac
Рассеиваемая Мощность: 517Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 150В
Непрерывный Ток Стока: 171А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0048Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Through Hole
быстрый просмотр
5-6 недель,
72 шт.
1 990 руб. ×
от 5 шт. — 1 800 руб.
от 10 шт. — 1 610 руб.
AUIRFR5305TRL, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 55 В, 31 А, 0.065 Ом, TO-252AA, Surface Mount
5-6 недель, 2305 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Рассеиваемая Мощность: 110Вт
Полярность Транзистора: P Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 55В
Непрерывный Ток Стока: 31А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.065Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
2305 шт.
520 руб. ×
от 10 шт. — 390 руб.
от 100 шт. — 333 руб.
AUIRFSA8409-7P, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 360 А, 500 мкОм, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
5-6 недель, 308 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: TO-263 (D2PAK)
Рассеиваемая Мощность: 375Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 40В
Непрерывный Ток Стока: 360А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 500мкОм
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
308 шт.
1 140 руб. ×
от 10 шт. — 880 руб.
от 100 шт. — 763 руб.
AUIRFZ48N, Силовой МОП-транзистор, AEC-Q101, N Канал, 55 В, 69 А, 0.011 Ом, TO-220AB, Through Hole
5-6 недель, 840 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: TO-220AB
Рассеиваемая Мощность: 160Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 55В
Непрерывный Ток Стока: 69А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.011Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Through Hole
быстрый просмотр
5-6 недель,
840 шт.
480 руб. ×
от 10 шт. — 354 руб.
от 100 шт. — 300 руб.
AUIRLR120NTRL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 10 А, 0.185 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
5-6 недель, 2978 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая Мощность: 48Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 100В
Непрерывный Ток Стока: 10а
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.185Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
2978 шт.
380 руб. ×
от 10 шт. — 284 руб.
от 100 шт. — 227 руб.
AUIRLR3410TRL, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 17 А, 0.105 Ом, TO-252AA, Surface Mount
5-6 недель, 543 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 175 C
Количество Выводов: 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора: TO-252AA
Рассеиваемая Мощность: 79Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 100В
Непрерывный Ток Стока: 17А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.105Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
543 шт.
420 руб. ×
от 10 шт. — 308 руб.
от 100 шт. — 263 руб.
IRF40H210, Силовой МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Канал, 40 В, 201 А, 0.0014 Ом, PQFN, Surface Mount
5-6 недель, 3553 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: PQFN
Рассеиваемая Мощность: 125Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 40В
Непрерывный Ток Стока: 201А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0014Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 3.7В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
3553 шт.
350 руб. ×
от 10 шт. — 282 руб.
от 100 шт. — 213 руб.
IRF6616TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 106 А, 0.0037 Ом, DirectFET MX, Surface Mount
5-6 недель, 5070 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET MX
Рассеиваемая Мощность: 89Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 40В
Непрерывный Ток Стока: 106А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0037Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 1.8В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
5070 шт.
480 руб. ×
от 10 шт. — 361 руб.
от 100 шт. — 308 руб.
IRF6620TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 150 А, 0.0021 Ом, DirectFET MX, Surface Mount
5-6 недель, 4800 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET MX
Рассеиваемая Мощность: 89Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 20В
Непрерывный Ток Стока: 150а
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0021Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 2.45В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
4800 шт.
300 руб. ×
от 10 шт. — 224 руб.
от 100 шт. — 183 руб.
IRF6623TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 55 А, 0.0044 Ом, DirectFET ST, Surface Mount
5-6 недель, 2884 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET ST
Рассеиваемая Мощность: 42Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 20В
Непрерывный Ток Стока: 55А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0044Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 2.2В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
2884 шт.
460 руб. ×
от 10 шт. — 345 руб.
от 100 шт. — 292 руб.
IRF6644TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 60 А, 0.0103 Ом, DirectFET MN, Surface Mount
5-6 недель, 2115 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET MN
Рассеиваемая Мощность: 89Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 100В
Непрерывный Ток Стока: 60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0103Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 4.8В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
2115 шт.
590 руб.
520 руб.
×
от 10 шт. — 387 руб.
от 100 шт. — 320 руб.
IRF6712STRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 68 А, 0.0038 Ом, DirectFET SQ, Surface Mount
5-6 недель, 3628 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET SQ
Рассеиваемая Мощность: 36Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 25В
Непрерывный Ток Стока: 68А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0038Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 1.9В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
3628 шт.
320 руб. ×
от 10 шт. — 235 руб.
от 100 шт. — 195 руб.
IRF6785MTRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 19 А, 0.085 Ом, DirectFET MZ, Surface Mount
5-6 недель, 2498 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET MZ
Рассеиваемая Мощность: 57Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 200В
Непрерывный Ток Стока: 19А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.085Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
2498 шт.
620 руб. ×
от 10 шт. — 466 руб.
от 100 шт. — 399 руб.
IRF6795MTRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал + Шоттки, 25 В, 160 А, 0.0014 Ом, DirectFET MX, Surface Mount
5-6 недель, 900 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 7вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: DirectFET MX
Рассеиваемая Мощность: 75Вт
Полярность Транзистора: N Канал + Шоттки
Напряжение Истока-стока Vds: 25В
Непрерывный Ток Стока: 160А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0014Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs: 1.8В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
900 шт.
440 руб. ×
от 10 шт. — 326 руб.
от 100 шт. — 278 руб.
IRF7457TRPBF, Силовой МОП-транзистор, импульсный источник питания, N Канал, 20 В, 15 А, 0.0055 Ом, SOIC
5-6 недель, 150 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150
Количество Выводов: 8
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: SOIC
Рассеиваемая Мощность: 2.5
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 20
Непрерывный Ток Стока: 15
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.0055
Напряжение Измерения Rds(on): 10
Пороговое Напряжение Vgs: 3
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
150 шт.
190 руб. ×
от 10 шт. — 140 руб.
от 100 шт. — 106 руб.
IRF7476TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 12 В, 15 А, 0.006 Ом, SOIC, Surface Mount
5-6 недель, 174 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: SOIC
Рассеиваемая Мощность: 2.5Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 12в
Непрерывный Ток Стока: 15А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.006Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 4.5В
Пороговое Напряжение Vgs: 1.9В
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
174 шт.
44 руб. ×
от 12 шт. — 37 руб.
от 102 шт. — 33 руб.
IRF7488TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 6.3 А, 0.024 Ом, SOIC, Surface Mount
5-6 недель, 226 шт.
Пр-во: Infineon
Максимальная Рабочая Температура: 150 C
Количество Выводов: 8вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL): MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора: SOIC
Рассеиваемая Мощность: 2.5Вт
Полярность Транзистора: N Канал
Напряжение Истока-стока Vds: 80В
Непрерывный Ток Стока: 6.3А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.024Ом
Напряжение Измерения Rds(on): 10В
Пороговое Напряжение Vgs:
Линейка Продукции: HEXFET Series
Transistor Mounting: Surface Mount
быстрый просмотр
5-6 недель,
226 шт.
220 руб.
200 руб.
×
от 10 шт. — 154 руб.
от 100 шт. — 106 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60