Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor

Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.4

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

KSC1845FTA, Транзистор NPN 120В 0.05А TO-92-Leadformed Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 300 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.5 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	45 руб. ×
KSC2383YTA, Транзистор NPN 160V 1A [TO-92L] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 100 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.9 Корпус: TO-92L	быстрый просмотр	37 руб. ×
KSC2690AYS, Транзистор NPN 160V 1.2A [TO-126] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 1.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 155 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.2 Корпус: to-126	быстрый просмотр	72 руб. × от 15 шт. — 69 руб.
KSC3265YMTF, Транзистор биполярный, NPN 25В 0.8А 0.2Вт [SOT-23] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 160 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 120 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.2 Корпус: sot-23	быстрый просмотр	14 руб. × от 100 шт. — 7.90 руб.
KSC5027OTU, Транзистор NPN 800В 3А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 20 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 15 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50 Корпус: to-220	быстрый просмотр	400 руб. × от 15 шт. — 344 руб.
KSP13BU, Транзистор NPN Darlington 30В 0.5А [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 125 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	24 руб. × от 5 шт. — 22 руб.
KSP2222ABU, Транзистор биполярный, NPN, Ic=600мА, Vceo=40В, Vcbo=75В, Pd=625мВт, (=2N2222A) [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 300 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	21 руб. × от 100 шт. — 18 руб.
KSP2907ATA, Транзистор PNP 60В 0.6А, [TO-92] (=2N2907A) Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 200 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	20 руб. × от 100 шт. — 14 руб.
KSP42TA, Транзистор NPN 300В 0.5А, (=MPSA42), [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	20 руб. × от 100 шт. — 16 руб.
KSP44BU, Транзистор, NPN, 400В, 300мА [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 50 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 0.625 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	29 руб. × от 100 шт. — 24 руб.
MJ11015G, Биполярный транзистор, PNP, (Darlington), 120 В, 30 А, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp darlington Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 300 руб. × от 5 шт. — 1 230 руб.
MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 170 руб. × от 5 шт. — 1 100 руб.
MJ11032G, Биполярный транзистор, NPN, (Darlington), 120 В, 50 А, 350 Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn darlington Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 120 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 50 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 300 Корпус: то-3	быстрый просмотр	2 200 руб. × от 15 шт. — 2 150 руб.
MJ15003G, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 А, 250 Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 310 руб. × от 15 шт. — 1 270 руб.
MJ15004G, Транзистор PNP 140В 20А 250Вт [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 20 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 070 руб. × от 15 шт. — 1 040 руб.
MJ21193G, Транзистор, PNP, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 010 руб. × от 15 шт. — 963 руб.
MJ21194G, Транзистор, NPN, 250В, 16А, 250Вт, [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 270 руб. × от 15 шт. — 1 220 руб.
MJ21195G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: pnp Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 250 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 200 руб. × от 15 шт. — 1 150 руб.
MJ802G, Транзистор NPN 90В 30А [TO-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 90 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 30 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 2 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200 Корпус: то-3	быстрый просмотр	1 090 руб. × от 15 шт. — 1 070 руб.
MJD44H11T4G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252] Бренд: ON Semiconductor Структура: npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8 Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 85 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75 Корпус: dpak(to-252)	быстрый просмотр	90 руб. × от 15 шт. — 89 руб.