Транзисторы биполярные (BJTs) ON Semiconductor, стр.5

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
сбросить
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
сбросить
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
сбросить
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
сбросить
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 15 шт. — 83 руб.
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 15 шт. — 79 руб.
MJE13007G, Транзистор NPN 400В 8А 80Вт [TO-220AB] (=ST13007)
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 700
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 5
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 80
Корпус: to-220
быстрый просмотр
200 руб. ×
от 15 шт. — 180 руб.
MJE15030G, Транзистор NPN 150В 8А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: to-126
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 15 шт. — 231 руб.
MJE15031G, Транзистор PNP 150В 8А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 150
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 50
Корпус: to-220
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 15 шт. — 234 руб.
MJE15032G, Транзистор NPN 250В 8А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
быстрый просмотр
400 руб. ×
от 15 шт. — 346 руб.
MJE15033G, Транзистор PNP 250В 8А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 10
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 15 шт. — 196 руб.
MJE15034G, Транзистор NPN 350В 4А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 209 руб.
MJE15035G, Транзистор PNP 350В 4А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 350
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 100
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 2
Корпус: to-220
быстрый просмотр
220 руб. ×
от 15 шт. — 191 руб.
MJE243G, Транзистор NPN 100В 4А [TO-126]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
быстрый просмотр
69 руб. ×
от 15 шт. — 57 руб.
MJE253G, Транзистор PNP 100В 4А [TO-126]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
быстрый просмотр
72 руб. ×
от 15 шт. — 60 руб.
MJE270G, Транзистор, [TO-126]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1500
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 6
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.5
Корпус: to-126
быстрый просмотр
71 руб. ×
от 15 шт. — 69 руб.
MJE340G, Транзистор NPN 300В 0.5А [TO-126] (=KSE340)
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20
Корпус: to-126
быстрый просмотр
65 руб. ×
от 15 шт. — 54 руб.
MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 20
Корпус: to-126
быстрый просмотр
73 руб. ×
от 15 шт. — 61 руб.
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 14
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 13
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 35
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
430 руб. ×
от 15 шт. — 363 руб.
MJH11021G, Транзистор PNP Darlington 250В 15А [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp darlington
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 250
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 400
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 150
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
880 руб. ×
от 15 шт. — 740 руб.
MJL1302AG, Транзистор PNP 15A 200V, [TO-264]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
710 руб. ×
от 15 шт. — 662 руб.
MJL21193G, Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
790 руб. ×
от 15 шт. — 738 руб.
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 25
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
910 руб. ×
от 15 шт. — 857 руб.
MJL3281AG, Транзистор, NPN, аудио, 260 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 150 hFE, [TO-264]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В: 260
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 260
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 75
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 200
Корпус: TO-264
быстрый просмотр
650 руб. ×
от 15 шт. — 596 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60