Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba

Транзисторы биполярные (BJTs) Toshiba, стр.10

_{650 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

HN1A01FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz 7-9 недель, 2666 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 2666 шт.	83 руб. ×
HN1A01F-Y(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A 7-9 недель, 3502 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 3502 шт.	150 руб. ×
HN1B01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP NPN SM6, -50V, -0.15A 7-9 недель, 2866 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 2866 шт.	140 руб. ×
HN1B01FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7-9 недель, 436 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 436 шт.	110 руб. ×
HN1B04FE-GR, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; комплементарная пара; 50В 7 недель, 27800 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 27800 шт.	18 руб. ×
HN1B04FE-GR,LF, 100nA 50V 100mW 200@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA 1PCSNPN&1PCSPNP +150°C@(Tj) SOT-666-6 BIpolar TransIstors - BJT 7 недель, 3650 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 3650 шт.	66 руб. ×
HN1B04FE-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7-9 недель, 224740 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 224740 шт.	89 руб. ×
HN1B04FU, Транзистор: NPN / PNP, биполярный, дополнительная пара, 50В, SC88 7 недель, 1485 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7 недель, 1485 шт.	54 руб. ×
HN1B04FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7-9 недель, 1650 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 1650 шт.	110 руб. ×
HN1B04FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V 7-9 недель, 7876 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 7876 шт.	77 руб. ×
HN1C01FE-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp 7-9 недель, 31724 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 31724 шт.	89 руб. ×
HN1C01FE-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp 7-9 недель, 6098 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 6098 шт.	92 руб. ×
HN1C01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A 7-9 недель, 6690 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 6690 шт.	98 руб. ×
HN1C01FU-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp 7-9 недель, 1364 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 1364 шт.	110 руб. ×
HN1C01FU-Y,LF 7-9 недель, 36662 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 36662 шт.	81 руб. ×
HN1C01FU-Y,LF, Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package 7-9 недель, 8109 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 8109 шт.	77 руб. ×
HN1C01FYTE85LF, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A 7-9 недель, 9229 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 9229 шт.	110 руб. ×
HN1C03F-B(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 7-9 недель, 2487 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 2487 шт.	140 руб. ×
HN1C03FU-B(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6 7-9 недель, 2233 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 2233 шт.	140 руб. ×
HN1C03FU-B,LF, Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package 7-9 недель, 97 шт. Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	7-9 недель, 97 шт.	120 руб. ×