Транзисторы биполярные (BJTs)

6 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
сбросить
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
сбросить
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
сбросить
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
MJD122T4, Транзистор NPN, 100В, 8А, 20Вт, [D-PAK]
206 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Структура: npn darlington c 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000…12000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
206 шт.
63 руб. ×
от 50 шт. — 62 руб.
MJD44H11T4G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 85
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
90 руб. ×
от 15 шт. — 89 руб.
MJD45H11G, Транзистор, PNP, 8A, 80V, [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 15 шт. — 83 руб.
MJD45H11T4G, Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 8 А, [TO-252]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 90
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 15 шт. — 79 руб.
MJD122T4G, Транзистор Darlington NPN 100В 8А 17.5Вт [DPAK (2-pin + Tab)]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: npn darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
70 руб. ×
от 50 шт. — 63 руб.
MJD127G, Транзистор PNP Darlington 100В 8А [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: pnp darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В: 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А): 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин: 1000…12000
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц: 4
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт: 1.75
Корпус: dpak(to-252)
быстрый просмотр
58 руб. ×
от 50 шт. — 53 руб.