Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.21

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FDS4559, Транзистор N/P-MOSFET 60В 6А/5А [SOP-8]
1402 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1402 шт.
40 руб. ×
от 100 шт. — 36 руб.
FDS4897C, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 40В 6.2А/-4.4А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.2/4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6.2А, 10В/0.046 при 4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 21/12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 25 шт. — 210 руб.
FDS4935A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А [SOP-8]
6369 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Корпус: SOP-8
быстрый просмотр
6369 шт.
49 руб. ×
от 100 шт. — 47 руб.
FDS6680A, Транзистор N-MOSFET 30В 12.5А [SOIC-8-0.154]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 9.5 Ом/12.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 5 шт. — 106 руб.
FDS8880, Транзистор PowerTrench N-канал 30В 11.6А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/11.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
69 руб. ×
от 25 шт. — 60 руб.
FDS8958A, Транзистор, PowerTrench, N+P-канал, 30В 7/-5А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7/5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/7А, 10В/0.052 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11/19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
220 руб. ×
от 25 шт. — 186 руб.
FDS8958B, Транзистор PowerTrench N/P-каналs 30В 6.4/-4.5А [SOIC-8-0.154"]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.4/4.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
120 руб. ×
от 25 шт. — 91 руб.
FDS9435A, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
73 руб. ×
от 25 шт. — 65 руб.
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
88 руб. ×
от 25 шт. — 74 руб.
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
878 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
878 шт.
50 руб. ×
от 15 шт. — 45 руб.
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8]
2414 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2414 шт.
60 руб. ×
от 15 шт. — 54 руб.
FDV301N, Транзистор N-CH 25V 220MA [SOT-23]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 Ом/0.4А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.2
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
28 руб. ×
от 100 шт. — 24 руб.
FDV303N, Транзистор, Digital FET, N-канал 25В 680мА [SOT-23]
Бренд: Fairchild
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.68
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/0.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 1.45
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
19 руб. ×
от 50 шт. — 18 руб.
FDV304P, Транзистор P-CH 25V 460MA [SOT-23]
Бренд: Fairchild
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.46
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/0.5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35
Крутизна характеристики, S: 0.8
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
22 руб. ×
от 100 шт. — 20 руб.
FQA11N90C-F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 11А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
1 100 руб. ×
от 15 шт. — 1 050 руб.
FQA70N15, Транзистор N Канал, 70 А, 150 В, 0.023 Ом, 10 В, 4 В [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 70
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330
Крутизна характеристики, S: 48
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
600 руб. ×
от 15 шт. — 598 руб.
FQA9N90C_F109, Транзистор, QFET, N-канал, 900В, 9А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
620 руб. ×
от 15 шт. — 556 руб.
FQD12N20LTM, Транзистор N-MOSFET 200В 9А [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 240 руб.
FQD19N10LTM, Транзистор N-CH 100V 15.6A, [D-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/7.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 14
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 15 шт. — 73 руб.
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Корпус: to-220
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 151 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60