Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) Infineon, стр.5

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IRF4905STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал, 55В, 74А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
320 руб. ×
от 50 шт. — 215 руб.
IRF520NPBF, Транзистор, N-канал 100В 9.7А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/5.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48
Крутизна характеристики, S: 2.7
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 102 руб.
IRF520NSTRLPBF, Транзистор MOSFET N-канал 100В 9.7А [D2-PАK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/5.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48
Крутизна характеристики, S: 2.7
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 116 руб.
IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: TO-262
быстрый просмотр
370 руб. ×
от 15 шт. — 360 руб.
IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 50 шт. — 299 руб.
IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
980 руб. ×
от 15 шт. — 947 руб.
IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 15 шт. — 108 руб.
IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 8
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 15 шт. — 266 руб.
IRF530NPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
57 руб. ×
от 50 шт. — 52 руб.
IRF530NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 107 руб.
IRF540NPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 15 шт. — 110 руб.
IRF540NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 33А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.044 Ом/16А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 130
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 15 шт. — 199 руб.
IRF540ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 36А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 36
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0265 Ом/22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 92
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 87 руб.
IRF630NPBF, Транзистор, N-канал 200В 9.3А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
180 руб. ×
от 15 шт. — 130 руб.
IRF630NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 200В, 9.3А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/5.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 82
Крутизна характеристики, S: 4.9
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
270 руб. ×
от 50 шт. — 198 руб.
IRF640NPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
78 руб. ×
от 50 шт. — 73 руб.
IRF640NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 200В 18А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 6.8
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
290 руб. ×
от 15 шт. — 248 руб.
IRF6643TRPBF, МОП-транзистор, N-канальный, 35 А, 150 В, 29 мОм, 10 В, 4 В, [DIRECTFET-MZ]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0345 Ом/7.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 89
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
410 руб. ×
от 5 шт. — 327 руб.
IRF6717MTRPBF, Транзистор Nкан 25В 38А, [DirectFET-MX]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 38
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.00125 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 96
Крутизна характеристики, S: 140
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
450 руб. ×
от 15 шт. — 383 руб.
IRF6775MTRPBF, Транзистор N-MOSFET 150В 4.9A [DirectFET MZ]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/5.6a, 10В
Корпус: DirectFET-MZ
быстрый просмотр
660 руб. ×
от 15 шт. — 586 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60