Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) ON Semiconductor, стр.4

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FQP19N20C, Транзистор, QFET, N-канал, 200В, 19А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.17 Ом/9.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 139 Корпус: to-220	быстрый просмотр	210 руб. × от 15 шт. — 181 руб.
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 12.4 Корпус: to-220	быстрый просмотр	290 руб. × от 15 шт. — 268 руб.
FQP2N60C, Транзистор, N-канал 600В 2А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.7 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 54 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 руб. × от 15 шт. — 176 руб.
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: to-220	быстрый просмотр	200 руб. × от 15 шт. — 160 руб.
FQP32N20C, Транзистор, N-канал 200В 28А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.082 Ом/14А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: to-220	быстрый просмотр	290 руб. × от 15 шт. — 239 руб.
FQP33N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 33А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 33 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.052 Ом/16.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 127 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 руб. × от 15 шт. — 186 руб.
FQP44N10, Транзистор, QFET, N-канал, 100В, 43.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 43.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.039 Ом/21.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 146 Корпус: to-220	быстрый просмотр	240 руб. × от 15 шт. — 192 руб.
FQP4N90C, Транзистор, N-канал 900В 4А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 руб. × от 15 шт. — 186 руб.
FQP6N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 5.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 158 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 руб. × от 15 шт. — 210 руб.
FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Корпус: to-220	быстрый просмотр	330 руб. × от 15 шт. — 294 руб.
FQPF10N60C, Транзистор, N-канал 600В 9.5А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.73 Ом/4.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	250 руб. × от 15 шт. — 223 руб.
FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	440 руб. × от 15 шт. — 390 руб.
FQPF3N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 3А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.8 Ом/1.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	180 руб. × от 15 шт. — 140 руб.
FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	240 руб. × от 15 шт. — 204 руб.
FQPF5N60C, Транзистор, QFET, N-канал, 600В, 4.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/2.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	200 руб. × от 15 шт. — 172 руб.
FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	250 руб. × от 15 шт. — 216 руб.
FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/3.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	320 руб. × от 15 шт. — 285 руб.
FQPF8N60CFT, Транзистор, N-канал 600В 7.5А (=SSP7N60B), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/3.13А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 147 Крутизна характеристики, S: 8.2 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	250 руб. × от 15 шт. — 216 руб.
FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.55 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	330 руб. × от 15 шт. — 294 руб.
FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44 Крутизна характеристики, S: 6.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	270 руб. × от 15 шт. — 220 руб.