Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) VBsemi

4771 из более 5000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]
446 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 45
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/18А/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
446 шт.
88 руб. ×
от 100 шт. — 79 руб.
APM4010NUC-TRL-VB, Транзистор N-MOSFET 40В 59А [TO-252]
1006 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.13
Крутизна характеристики, S: 180
Корпус: TO-252
быстрый просмотр
1006 шт.
52 руб. ×
от 100 шт. — 47 руб.
APM4015PUC-TRL-VB, Транзистор P-MOSFET 40В 50А [TO-252]
1788 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/17А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Крутизна характеристики, S: 61
Корпус: TO-252
быстрый просмотр
1788 шт.
50 руб. ×
от 100 шт. — 45 руб.
BUK7635-55A-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 36А [TO-263 / D2PAK]
373 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/21A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: TO-263/D2PAK
быстрый просмотр
373 шт.
200 руб. ×
от 205 шт. — 181 руб.
быстрый просмотр
89 шт.
190 руб. ×
от 15 шт. — 172 руб.
FDC6420C-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 20В 5,5/-3.2А [TSOP-6]
10764 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/2.5А, 10В/0.055 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15
Крутизна характеристики, S: 4.3/2
Корпус: TSOP-6
быстрый просмотр
10764 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 25 руб.
FDD6637-VB, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
3756 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
3756 шт.
54 руб. ×
от 100 шт. — 49 руб.
FDD8424H-VB, Транзистор N/P-MOSFET 40В 50А [TO-252-4L]
417 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 108
Крутизна характеристики, S: 40/18
Корпус: DPAK(4 Leads+Tab)
быстрый просмотр
417 шт.
70 руб. ×
от 100 шт. — 63 руб.
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8]
842 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 27
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
842 шт.
50 руб. ×
от 15 шт. — 45 руб.
FQP13N10L-VB, Транзистор N-MOSFET 100В 18А 105Вт [TO-220AB]
329 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.127 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: to-220
быстрый просмотр
329 шт.
110 руб. ×
от 15 шт. — 99 руб.
быстрый просмотр
903 шт.
26 руб. ×
от 50 шт. — 24 руб.
IRF7105TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8]
2657 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/6.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/6.8А, 10В/0.044 Ом/6.5А, 8В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 27/25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2657 шт.
59 руб. ×
от 50 шт. — 55 руб.
IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8]
2 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/10.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 37
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2 шт.
81 руб. ×
от 50 шт. — 76 руб.
IRF7324TRPBF-VB, Транзистор 2P-канала 20В 8.9A TrenchFET [SOIC-8]
6602 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 26
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
6602 шт.
64 руб. ×
от 100 шт. — 58 руб.
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]
5333 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5333 шт.
82 руб. ×
от 50 шт. — 79 руб.
IRF7343TRPBF-VB, Транзистор N/P-каналы 60В 5.3/4.9А TrenchFET [SOIC-8]
7003 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
7003 шт.
97 руб. ×
от 25 шт. — 91 руб.
быстрый просмотр
80 шт.
80 руб. ×
от 15 шт. — 74 руб.
IRFR9120NTRPBF-VB, Транзистор Р-MOSFET 100В 8.8А 32.1Вт [D-PAK]
289 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/3.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32.1
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: TO-252
быстрый просмотр
289 шт.
100 руб. ×
от 15 шт. — 90 руб.
IRLML9301TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3]
6595 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: Micro-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
6595 шт.
18 руб. ×
IRLR2905TRPBF-VB, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 35А [DPAK / TO-252]
1630 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1630 шт.
72 руб. ×
от 50 шт. — 68 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60