Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs) VBsemi

45 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
быстрый просмотр
86 шт.
190 руб. ×
от 205 шт. — 177 руб.
от 2050 шт. — 172 руб.
FDC6420C, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 20В 5,5/-3.2А [TSOP-6]
904 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/2.5А, 10В/0.055 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15
Крутизна характеристики, S: 4.3/2
Корпус: TSOP-6
быстрый просмотр
904 шт.
24 руб. ×
от 50 шт. — 23 руб.
от 500 шт. — 22 руб.
FDD6637, Транзистор P-MOSFET 30В 80A [DPAK / TO-252]
4476 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 187
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
4476 шт.
88 руб. ×
от 50 шт. — 83 руб.
от 500 шт. — 77 руб.
IRF7105TRPBF, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 30В 6.8А/-6.6А [SOIC-8]
3865 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8/6.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/6.8А, 10В/0.044 Ом/6.5А, 8В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 27/25
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
3865 шт.
57 руб. ×
от 50 шт. — 53 руб.
от 500 шт. — 50 руб.
IRF7240TRPBF, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8]
3942 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/10.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 37
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
3942 шт.
79 руб. ×
от 50 шт. — 74 руб.
от 500 шт. — 69 руб.
IRF7324TR, Транзистор 2P-канала 20В 8.9A TrenchFET [SOIC-8]
5667 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 26
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
5667 шт.
74 руб. ×
от 50 шт. — 69 руб.
от 500 шт. — 65 руб.
IRF7341TRPBF, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8]
7992 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
7992 шт.
80 руб. ×
от 50 шт. — 75 руб.
от 500 шт. — 70 руб.
IRF7343TRPBF, Транзистор N/P-каналы 60В 5.3/4.9А TrenchFET [SOIC-8]
1608 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: N/P-каналы
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7/3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/4.7А, 10В/0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: soic-8
быстрый просмотр
1608 шт.
95 руб. ×
от 50 шт. — 89 руб.
от 500 шт. — 83 руб.
IRLML9301TR, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3]
2750 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/4.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: Micro-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
2750 шт.
13 руб. ×
от 100 шт. — 12 руб.
от 1000 шт. — 11.50 руб.
IRLR2905TR, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 35А [DPAK / TO-252]
1931 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 42
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/25А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
1931 шт.
70 руб. ×
от 50 шт. — 66 руб.
от 500 шт. — 62 руб.
SI2300DS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]
404 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/5А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1
Крутизна характеристики, S: 24
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
404 шт.
23 руб. ×
от 100 шт. — 17 руб.
от 1000 шт. — 13.70 руб.
SI2308BDS, Транзистор TrenchFET N-канал 60В 4А [SOT-23-3 / TO-236]
2649 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.086 Ом/1.7А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.66
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
2649 шт.
28 руб. ×
от 100 шт. — 26 руб.
от 1000 шт. — 25 руб.
SI2319CDS-T1-GE3, Транзистор TrenchFET P-канал 30В 5.6А [SOT-23-3 / TO-236]
2175 шт.
Пр-во: VBsemi
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.054 Ом/3.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
2175 шт.
16 руб. ×
от 100 шт. — 14 руб.
от 1000 шт. — 12 руб.
2 шт.
110 руб. ×
от 5 шт. — 94 руб.
от 50 шт. — 91.90 руб.
1 шт.
78 руб. ×
от 5 шт. — 75 руб.
от 50 шт. — 73 руб.
2 шт.
73 руб. ×
от 5 шт. — 68 руб.
от 50 шт. — 66.60 руб.
IRFL9014TRPBF
7202 шт.
Пр-во: VBsemi
быстрый просмотр
7202 шт.
32 руб. ×
от 135 шт. — 27 руб.
от 567 шт. — 24.80 руб.
5700 шт.
22 руб. ×
от 500 шт. — 8 руб.
от 2000 шт. — 7.60 руб.
от 3500 шт. — 7.19 руб.
IRLMS6802TRPBF
3646 шт.
Пр-во: VBsemi
3646 шт.
18 руб. ×
от 245 шт. — 15 руб.
от 1028 шт. — 13.68 руб.
STP100NF04
500 шт.
Пр-во: VBsemi
500 шт.
54 руб. ×
от 80 шт. — 45 руб.
от 334 шт. — 42.10 руб.
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60