Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{76 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

Транзистор IRF630, тип N, 75 Вт, корпус TO-220 ,[IRF630N] 3 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Крутизна характеристики, S: 4.8 Корпус: to-220	быстрый просмотр	3 шт.	320 руб. ×
Транзистор IRF9610, тип P, 20 Вт, корпус TO-220AB ,VISH 2 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.75 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 20 Крутизна характеристики, S: 0.9 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	2 шт.	700 руб. ×
Транзистор IRFD9210, корпус DIP-4 ,IR 1 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 0.27 Корпус: DIP-4	быстрый просмотр	1 шт.	290 руб. ×
Транзистор IRFI9630G, корпус TO-220ISO- ,IR 2 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Крутизна характеристики, S: 2.4 Корпус: to-220	быстрый просмотр	2 шт.	620 руб. ×
Транзистор IRFS630B, корпус TO-220+di plast ,STM 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38 Крутизна характеристики, S: 7.05 Корпус: to-220	быстрый просмотр	1 шт.	240 руб. ×
Транзистор IRFS640B, корпус TO-220+di plast ,FAIR 3 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.18 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 43 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: to-220	быстрый просмотр	3 шт.	270 руб. ×
IRF9640SPBF, транзистор P канал 200В -11А D2Pak Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Корпус: D2Pak-2	быстрый просмотр		130 руб. ×
IRFP4668PBF, TO-247AC Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 130 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 520 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		580 руб. × от 25 шт. — 490 руб. от 75 шт. — 439 руб. от 125 шт. — 438.72 руб.
IRFR220NTRPBF, транзистор (IRFR220) N канал 200В 5А DPak Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 43 Корпус: DPAK(TO-252AA)	быстрый просмотр		69 руб. × от 102 шт. — 32 руб. от 402 шт. — 31 руб. от 702 шт. — 29.13 руб.
IRFR9N20DPBF, транзистор N канал 200В 9.4А DPak Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 86 Корпус: DPAK(TO-252AA)	быстрый просмотр		120 руб. × от 32 шт. — 61 руб.
IRF640NPBF 2 недели, 2345 шт. Бренд: INTERNATIONAL RECTIF Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.15 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 6.8 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр	2 недели, 2345 шт.	37 руб. ×
2SK1530, Транзистор, N-канал, усилительный [2-21F1B] По запросу Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: 2-21F1B	быстрый просмотр	По запросу	440 руб. ×
BS108, Транзистор, N-канал [TO-92] [EOL] По запросу Бренд: Китай Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8 Ом/0.1А, 2.8В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	По запросу	20 руб. × от 10 шт. — 17 руб.
BS107ARL1G, Транзистор, N-канал [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 6.4 Ом/0.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: TO-92(Formed Leads)	быстрый просмотр		170 руб. × от 15 шт. — 144 руб.
IRFB42N20DPBF, Nкан 200В 42.6А TO-220AB Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 44 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/26А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 330 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		210 руб. × от 50 шт. — 150 руб.
IRFR13N20DPBF, MOSFET N-канал 200В 14А [D-PAK] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.235 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 6.2 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		24 руб. × от 25 шт. — 20 руб.