Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

100N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252] 4168 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.038 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	4168 шт.	21 руб. × от 50 шт. — 19 руб.
10N65F, Транзистор N-MOSFET 650В 10А [TO-220F] 1479 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	1479 шт.	67 руб. × от 50 шт. — 60 руб.
12N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А [TO-252] 3176 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.114 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 96 Крутизна характеристики, S: 35 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3176 шт.	22 руб. × от 100 шт. — 19 руб.
15N10, Транзистор N-MOSFET 100В 15А [TO-252] 2917 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.095 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Крутизна характеристики, S: 2 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2917 шт.	22 руб. × от 50 шт. — 20 руб.
1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223] 4808 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4808 шт.	12 руб. × от 50 шт. — 11 руб.
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252] 1977 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	1977 шт.	15 руб. × от 50 шт. — 13 руб.
1N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [SOT-223] 2302 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	2302 шт.	14 руб. × от 50 шт. — 12 руб.
1N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 1А [TO-252] 2201 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2201 шт.	14 руб. × от 50 шт. — 13 руб.
20N06, Транзистор N-MOSFET 60В 20А [TO-252] 5321 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	5321 шт.	16 руб. × от 50 шт. — 15 руб.
25N06, Транзистор N-MOSFET 60В 25А [TO-252] 1578 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 25 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/19А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	1578 шт.	20 руб. × от 50 шт. — 18 руб.
2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223] 4160 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4160 шт.	18 руб. × от 50 шт. — 16 руб.
2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [TO-252] 3112 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3112 шт.	16 руб. × от 50 шт. — 14 руб.
2N65G, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [SOT-223] 4910 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4910 шт.	15 руб. × от 50 шт. — 13 руб.
2N65L, Транзистор N-MOSFET 650В 2А [TO-252] 1138 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.5 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	1138 шт.	17 руб. × от 50 шт. — 15 руб.
2N7002, Транзистор N-MOSFET 60В 115мА [SOT-23-3] 17184 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.225 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	17184 шт.	3 руб. × от 100 шт. — 2.50 руб.
2N7002B, Транзистор N-MOSFET 60В 115мА [SOT-23-3] 8682 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.225 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	8682 шт.	3 руб. × от 100 шт. — 2 руб.
30N03A, Транзистор N-MOSFET 30В 90А [TO-252] 3308 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 90 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0039 мОм/15А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3308 шт.	26 руб. × от 100 шт. — 24 руб.
30N06, Транзистор N-MOSFET 60В 30А [TO-252] 2535 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/15А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2535 шт.	20 руб. × от 50 шт. — 18 руб.
35N06, Транзистор N-MOSFET 60В 35А [TO-252] 1878 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/19А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 36.2 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	1878 шт.	25 руб. × от 50 шт. — 22 руб.
40N06, Транзистор N-MOSFET 60В 40А [TO-252] 3515 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.014 Ом/30А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3515 шт.	24 руб. × от 50 шт. — 21 руб.

Транзисторы полевые – полупроводниковые приборы, через которые протекают потоки носителей электрического заряда. Эти потоки регулируются поперечным электрическим полем, создаваемым при помощи напряжения, приложенного между стоком и затвором или истоком и затвором (сток и исток – внешние слои полупроводников, затвор – внутренний).

Принцип работы полевых транзисторов основывается на перемещении основных носителей электрического заряда одного типа (электроны или дырки), в отличие от биполярных транзисторов, у которых два типа носителей заряда.

Посмотреть и купить товар вы можете в наших магазинах в городах: Москва, Санкт-Петербург, Архангельск, Астрахань, Барнаул, Брянск, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Екатеринбург, Иваново, Ижевск, Иркутск, Йошкар‑Ола, Казань, Калуга, Кемерово, Киров, Кострома, Краснодар, Красноярск, Курган, Курск, Липецк, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Оренбург, Пенза, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саранск, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Сургут, Тамбов, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Ульяновск, Уфа, Хабаровск, Чебоксары, Челябинск, Ярославль.
Доставка в пункты выдачи заказов Яндекс Доставка, СДЭК, Л-Пост, Boxberry, 5Post, транспортными компаниями DPD и «Деловые Линии», а также Почтой России в Тольятти, Владивосток, Махачкала, Новокузнецк, Калининград, Улан-Удэ, Сочи, Нижний Тагил, Чита, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Петрозаводск, Нижневартовск, Новороссийск и еще в более чем 1000 городов и населенных пунктов по всей России.

Товары из группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)» вы можете купить оптом и в розницу.