Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

7 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
IRFH9310TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 40А [PQFN-5x6]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0046 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 39
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 15 шт. — 225 руб.
IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
86 руб. ×
от 50 шт. — 81 руб.
SPP21N50C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 500В 21А [TO-220]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/13.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208
Корпус: PG-TO220
быстрый просмотр
730 руб. ×
от 15 шт. — 690 руб.
BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
быстрый просмотр
75 руб. ×
от 15 шт. — 68 руб.
Транзистор 60R165CP, тип N, 192 Вт, корпус D2PAK [TO-263]
2 шт.
Бренд: No trademark
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192
Корпус: d2pak
быстрый просмотр
2 шт.
3 090 руб. ×
CSD16404Q5A, транзистор 8SON
Бренд: Texas Instruments
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Корпус: SON8-3x3
быстрый просмотр
200 руб. ×
от 3 шт. — 190 руб.
от 12 шт. — 177 руб.
от 21 шт. — 176.36 руб.
STB28NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.135 Ом, 21 А [D2-PAK]
По запросу
Бренд: ST Microelectronics
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.158 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
По запросу
600 руб. ×
от 15 шт. — 590 руб.