Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

6 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
APM4010NUC-TRL-VB, Транзистор N-MOSFET 40В 59А [TO-252]
1265 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.005 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.13
Крутизна характеристики, S: 180
Корпус: TO-252
быстрый просмотр
1265 шт.
52 руб. ×
от 100 шт. — 47 руб.
FDA59N25, Транзистор, UniFET, N-канал, 250В, 59А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.049 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 392
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
370 руб. ×
от 15 шт. — 315 руб.
FDA59N30, Транзистор, MOSFET N-CH 300В 59А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 300
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/29.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 500
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
610 руб. ×
от 15 шт. — 597 руб.
FDD6635, Транзистор N-канал 35В 59А 0.010Ом [D-PAK / TO-252]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 35
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/15А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55
Крутизна характеристики, S: 53
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
210 руб. ×
от 15 шт. — 175 руб.
IRF3710ZPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 224 руб.
IRF3710ZSTRLPBF, Транзистор, N-канал 100В 59А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 59
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/35А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.