Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.6

_{302 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDS4435BZ, МОП-транзистор, P Канал, -8.8 А, -30 В, 0.016 Ом, -10 В, -2.1 В [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/8.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.2 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. × от 50 шт. — 108 руб.
FDS9435A, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		73 руб. × от 25 шт. — 65 руб.
FDV304P, Транзистор P-CH 25V 460MA [SOT-23] Бренд: Fairchild Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.46 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/0.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 0.8 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		22 руб. × от 100 шт. — 20 руб.
FQP12P20, Транзистор, QFET, P-канал, 200В, 11.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.47 Ом/5.75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Корпус: to-220	быстрый просмотр		190 руб. × от 15 шт. — 151 руб.
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 9.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. × от 15 шт. — 172 руб.
FQP17P10, Транзистор P-MOSFET 100В 16.5А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/8.25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Корпус: to-220	быстрый просмотр		340 руб. × от 20 шт. — 335 руб.
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 12.4 Корпус: to-220	быстрый просмотр		290 руб. × от 15 шт. — 268 руб.
FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 4.9 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		130 руб. × от 15 шт. — 114 руб.
IRF4905PBF, Транзистор, P-канал 55В 74А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		140 руб. × от 50 шт. — 120 руб.
IRF4905STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал, 55В, 74А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 74 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		320 руб. × от 50 шт. — 215 руб.
IRF5210LPBF, Транзистор, HEXFET, -40А,-100В 0.06Ом [TO-262] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: TO-262	быстрый просмотр		370 руб. × от 15 шт. — 360 руб.
IRF5210PBF, Транзистор, P-канал 100В 40А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		330 руб. × от 50 шт. — 299 руб.
IRF5210STRLPBF, Транзистор HEXFET, P-канал 100В 40А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/38А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		980 руб. × от 15 шт. — 947 руб.
IRF5305PBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		160 руб. × от 15 шт. — 108 руб.
IRF5305STRLPBF, Транзистор, P-канал 55В 31А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		290 руб. × от 15 шт. — 266 руб.
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		83 руб. × от 25 шт. — 76 руб.
IRF7205TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 4.6А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/4.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 6.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		72 руб. × от 25 шт. — 62 руб.
IRF7210TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] (=IRF7210PBF) Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.007 Ом/16А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		200 руб. × от 10 шт. — 163 руб.
IRF7240TRPBF, Транзистор P-CH 40V 10.5A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/10.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		350 руб. × от 25 шт. — 287 руб.
IRF7240TRPBF-VB, Транзистор P-канал 40В 10.2A [SOIC-8] 5036 шт. Бренд: VBsemi Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/10.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 37 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5036 шт.	81 руб. × от 50 шт. — 76 руб.