Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.15

более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FQPF8N60CFT, Транзистор, N-канал 600В 7.5А (=SSP7N60B), [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/3.13А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 147
Крутизна характеристики, S: 8.2
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
250 руб. ×
от 15 шт. — 216 руб.
FQPF8N80C, Транзистор, QFET, N-канал, 800В, 8А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.55 Ом/4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 59
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 15 шт. — 294 руб.
FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44
Крутизна характеристики, S: 6.5
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
270 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
HUF75344G3, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55В 75А [TO-247]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.008 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 285
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
580 руб. ×
от 15 шт. — 524 руб.
HUF75545P3, Транзистор, N-канал 75А 80В [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
360 руб. ×
от 15 шт. — 350 руб.
HUF76429S3ST, Транзистор, UltraFET, N-канал, 60В, 44А [TO-263AB / D2-PAK]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/47А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 147 руб.
IPA60R950C6XKSA1 (6R950C6), Транзистор CoolMOS C6, N-канал 650В 4.4А [TO-220FP]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.95 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 26
Корпус: TO-220FP
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 15 шт. — 121 руб.
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/1.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30.5
Корпус: TO-252-3
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 100 руб.
IPP032N06N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 60В 120А [TO-220]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 188
Корпус: to-220
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 15 шт. — 262 руб.
IPP034NE7N3GXKSA1, Транзистор N-MOSFET 75В 100А [PG-TO-220-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 100
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0034 Ом/100А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 214
Корпус: to-220
быстрый просмотр
480 руб. ×
от 5 шт. — 406 руб.
IPP80N08S2L07AKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 75В 80А [TO-220-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0071 Ом/80А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300
Корпус: to-220
быстрый просмотр
620 руб. ×
от 15 шт. — 572 руб.
IPW60R060P7XKSA1, Транзистор N-MOSFET 600В 48А [PG-TO247-3]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/15.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 164
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
1 330 руб. ×
от 15 шт. — 1 290 руб.
IPW60R099C6FKSA1 (6R099C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 37.9А [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 37.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.099 Ом/18.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 278
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
1 600 руб. ×
от 15 шт. — 1 550 руб.
IPW60R099CPFKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 600В 31А [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 31
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.099 Ом/18А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 255
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
1 400 руб. ×
от 15 шт. — 1 350 руб.
IPW60R160C6FKSA1 (6R160C6), Транзистор MOSFET N-канал 600В 23.8А [TO-247]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 23.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.16 Ом/11.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 176
Корпус: TO-247
быстрый просмотр
880 руб. ×
от 15 шт. — 818 руб.
IRF100B202, Транзистор MOSFET N-канал 100В 97А [TO-220АB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 97
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0086 Ом/58А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 221
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
330 руб. ×
от 15 шт. — 279 руб.
IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 84
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/50А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200
Крутизна характеристики, S: 69
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 151 руб.
IRF1010NPBF, Транзистор, N-канал 55В 72А [TO-220AB]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 84
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170
Крутизна характеристики, S: 30
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 147 руб.
IRF1010NSTRLPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 55В, 85А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 85
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/43А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 180
Крутизна характеристики, S: 3.2
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 75А [D2-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140
Крутизна характеристики, S: 33
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60