Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)39 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6]
4763 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 ом при 2.7a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: tsop6
быстрый просмотр
4763 шт.
30 руб. ×
от 50 шт. — 25 руб.
от 500 шт. — 23 руб.
IRF7103TRPBF, Транзистор N-CH 50V 3A [SOIC-8]
2958 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 ом при 3a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.8
Корпус: so8
быстрый просмотр
2958 шт.
26 руб. ×
от 10 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 18 руб.
IRF7904PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 7.6А [SO-8]
31 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.6/11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0162 ом при 7.6a, 10в/0.0108 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4/2
Крутизна характеристики, S: 17/23
Корпус: so8
быстрый просмотр
31 шт.
36 руб. ×
от 10 шт. — 32 руб.
от 100 шт. — 31 руб.
IRF7905PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 7.8А [SO-8]
3 дня, 4 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0218 ом при 7.8a, 10в/0.0171 ом при 8.9a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: so8
быстрый просмотр
3 дня,
4 шт.
36 руб. ×
от 5 шт. — 32 руб.
от 50 шт. — 31 руб.
IRF8313PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 9.7А [SO-8]
1365 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 ом при 9.7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: so8
быстрый просмотр
1365 шт.
49 руб. ×
от 10 шт. — 43 руб.
от 100 шт. — 41 руб.
IRF8513PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 11А, (IRF7902), [SO-8]
344 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11/8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 ом при 8a, 10в/0.00127ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.4
Крутизна характеристики, S: 19/24
Корпус: so8
быстрый просмотр
344 шт.
45 руб. ×
от 25 шт. — 39 руб.
от 250 шт. — 37 руб.
IRF9956PBF, Транзистор, 2N-канала 30В 3.5А [SO-8]
13 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 ом при 2.2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: so8
быстрый просмотр
13 шт.
23 руб. ×
от 10 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 20 руб.
IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
140 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0149 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
140 шт.
58 руб. ×
от 15 шт. — 54 руб.
от 150 шт. — 52 руб.
AO4828, Транзистор, 2 N-каннала, 60В, 4.5А, 0.056Ом [SO-8]
594 шт.
Пр-во: Alpha & Omega
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 ом при 4.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: so8
быстрый просмотр
594 шт.
25 руб. ×
от 25 шт. — 20 руб.
от 250 шт. — 18.20 руб.
BF998E6327HTSA1, Транзистор 2N-канал, схемы ВЧ радиоприемников [SOT-143]
2694 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.03
Корпус: sot143
быстрый просмотр
2694 шт.
21 руб. ×
от 25 шт. — 16 руб.
от 250 шт. — 14.30 руб.
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]
1739 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 ом при 6.5a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: so8
быстрый просмотр
1739 шт.
24 руб. ×
от 25 шт. — 20 руб.
от 250 шт. — 18.20 руб.
IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
716 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 ом при 6a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: so8
быстрый просмотр
716 шт.
43 руб. ×
от 25 шт. — 38 руб.
от 250 шт. — 36 руб.
IRF7341TRPBF, Транзисто, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
2468 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 ом при 4.7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: so8
быстрый просмотр
2468 шт.
30 руб. ×
от 25 шт. — 28 руб.
от 250 шт. — 26 руб.
IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8]
625 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0178 ом при 8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 18
Корпус: so8
быстрый просмотр
625 шт.
62 руб. ×
от 25 шт. — 56 руб.
от 250 шт. — 54 руб.
IRF7907TRPBF, 2Nкан 30В 11А, [SO-8]
944 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1/11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0164 ом при 9.1a, 10в/0.0118 ом при 11a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19/24
Корпус: so8
быстрый просмотр
944 шт.
33 руб. ×
от 25 шт. — 28 руб.
от 250 шт. — 25 руб.
IRFI4019H-117P, Транзистор MOSFET N-канал Si 150В 8.7А [TO-220FP-5]
256 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.095 ом при 5.2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 18
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: to220fp-5
быстрый просмотр
256 шт.
120 руб. ×
от 15 шт. — 115 руб.
от 150 шт. — 110 руб.
IRL6372TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 8.1А [SO-8]
5255 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0179 ом при 8.1a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 30
Корпус: so8
быстрый просмотр
5255 шт.
33 руб. ×
от 10 шт. — 28 руб.
от 100 шт. — 26 руб.
NDS331N, Транзистор MOSFET N-CH 20V 1.3A, [SSOT-3]
585 шт.
Пр-во: Fairchild
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.21 ом при 1.3a, 2.7в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5
Крутизна характеристики, S: 3.5
Корпус: ssot3
быстрый просмотр
585 шт.
10 руб. ×
от 100 шт. — 7.80 руб.
от 1000 шт. — 6.50 руб.
IRF7311PBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8]
17 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 ом при 6a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: so8
быстрый просмотр
17 шт.
33 руб. ×
от 10 шт. — 29 руб.
от 100 шт. — 28 руб.
IRFI4020H-117P, 2Nкан 200В 9.1А TO220FP
14 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 ом при 5.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 21
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: to220fp-5
быстрый просмотр
14 шт.
310 руб. ×
от 10 шт. — 180 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60