Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

30 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
AO4805, Транзистор P-MOSFET 30В 9А 2Вт [SOP-8]
2069 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/8A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 21
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2069 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 24 руб.
AO4807, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 2Вт [SOP-8]
1772 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/6A, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
1772 шт.
17 руб. ×
от 50 шт. — 15 руб.
APM4953, Транзистор 2P-MOSFET 30В 5.3А 2Вт [SOP-8]
3765 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.038 Ом/5.3A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOP-8
быстрый просмотр
3765 шт.
15 руб. ×
от 100 шт. — 13 руб.
IRF7304TR, Транзистор 2P-MOSFET 20В 4.3А 2Вт [SOP-8]
2628 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2628 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7316TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
2187 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2187 шт.
33 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
IRF7328TR, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А 2Вт [SOP-8]
2113 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
2113 шт.
27 руб. ×
от 50 шт. — 24 руб.
IRF7342TR, Транзистор 2P-MOSFET 55В 3.4А 2Вт [SOP-8]
3810 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
3810 шт.
39 руб. ×
от 50 шт. — 36 руб.
FDS4935A, Транзистор 2P-MOSFET 30В 8А [SOP-8]
6369 шт.
Бренд: TECH PUBLIC
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Корпус: SOP-8
быстрый просмотр
6369 шт.
49 руб. ×
от 100 шт. — 47 руб.
IRF5810TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6]
Бренд: IR
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96
Крутизна характеристики, S: 5.4
Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6
быстрый просмотр
29 руб. ×
от 100 шт. — 26 руб.
IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
90 руб. ×
от 25 шт. — 73 руб.
IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4
Крутизна характеристики, S: 4
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
110 руб. ×
от 25 шт. — 100 руб.
IRF7306TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 3.6А 0.10Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/1.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
120 руб. ×
от 5 шт. — 94 руб.
IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 25 шт. — 93 руб.
IRF7316TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 30В, 4.9А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/4.9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 7.7
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
140 руб. ×
от 25 шт. — 98 руб.
IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 50 шт. — 103 руб.
IRF7324TRPBF-VB, Транзистор 2P-канала 20В 8.9A TrenchFET [SOIC-8]
6752 шт.
Бренд: VBsemi
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 26
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
6752 шт.
64 руб. ×
от 100 шт. — 58 руб.
IRF7328TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канала 30В 8.0А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
180 руб. ×
от 25 шт. — 148 руб.
IRF7329TRPBF, Транзистор HEXFET 2P-канала 12B 9.2A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.017 Ом/9.2А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 25 шт. — 119 руб.
IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 3.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 25 шт. — 107 руб.
IRF9358TRPBF, Транзисто, 2P-канала 30В 9.2А [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0163 Ом/9.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 23
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
150 руб. ×
от 25 шт. — 126 руб.
Страница
  • 1
  • 2
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60