Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

85 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
2SK2698, Транзистор, N-канал, драйверы реле и электродвигателей [TO-3P]
133 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SC-65/2-16C1B
быстрый просмотр
133 шт.
370 руб. ×
2SK2837, Транзистор, N-канал, высокоскоростной, высокоточные ключи, драйверы электродвигателей [TO-3P]
147 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Крутизна характеристики, S: 17
Корпус: SC-65/2-16C1B
быстрый просмотр
147 шт.
580 руб. ×
2SK2842, Транзистор, N-канал [TO-220F]
280 шт.
Бренд: Toshiba
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40
Корпус: SC-67/2-10R1B
быстрый просмотр
280 шт.
190 руб. ×
AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А [TO-220]
Бренд: Alpha & Omega
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 ом при 4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 192
Корпус: to-220
быстрый просмотр
98 руб. ×
FDA20N50F, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 22А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.26 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 388
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
580 руб. ×
от 15 шт. — 522 руб.
FDA24N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
570 руб. ×
от 15 шт. — 495 руб.
FDA24N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 24А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 24
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/12А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
680 руб. ×
от 15 шт. — 621 руб.
FDA28N50F, Транзистор, UniFET, FRFET, N-канал, 500В, 28А [TO-3PN]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/14А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 310
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: to-3pn
быстрый просмотр
1 020 руб. ×
от 15 шт. — 980 руб.
FDP18N50, Транзистор N-CH 500V 18A [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 235
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: to-220
быстрый просмотр
440 руб. ×
от 15 шт. — 389 руб.
FDP22N50N, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 22А [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 312.5
Корпус: to-220
быстрый просмотр
570 руб. ×
от 15 шт. — 498 руб.
FDPF12N50NZ, Транзистор, UniFET ll, N-канал, 500В, 11.5А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/5.75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 42
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
510 руб. ×
от 15 шт. — 452 руб.
FDPF18N50, Транзистор, UniFET, N-канал, 500В, 18А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.265 Ом/9А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38.5
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
410 руб. ×
от 15 шт. — 351 руб.
FDPF5N50UT, Транзистор N-MOSFET 500В 4А [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
180 руб. ×
от 15 шт. — 140 руб.
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 195
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: to-220
быстрый просмотр
280 руб. ×
от 15 шт. — 239 руб.
FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
440 руб. ×
от 15 шт. — 390 руб.
FQPF9N50CF, МОП-транзистор, N-канальный, 9 А, 500 В, 0.7 Ом, 10 В, 4 В, [TO-220f]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44
Крутизна характеристики, S: 6.5
Корпус: TO-220F
быстрый просмотр
270 руб. ×
от 15 шт. — 220 руб.
IRF820PBF, Транзистор, N-канал 500В 2.5А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Ом/1.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
140 руб. ×
от 15 шт. — 113 руб.
IRF830APBF, Транзистор, N-канал 500В 5A [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.4 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.8
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 15 шт. — 195 руб.
IRF830PBF, Транзистор, N-канал 500В 4.5А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/2.7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
190 руб. ×
от 15 шт. — 156 руб.
IRF840APBF, Транзистор, N-канал 500В 8.0А [TO-220AB]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.85 Ом/4.8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 4.9
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 10 шт. — 137 руб.
Страница
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60