Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{171 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab) Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/1.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр		150 руб. × от 15 шт. — 133 руб.
BUK7635-55A-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 36А [TO-263 / D2PAK] 407 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/21A/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 23 Корпус: TO-263/D2PAK	быстрый просмотр	407 шт.	200 руб. × от 205 шт. — 181 руб.
FDP025N06, Транзистор, PowerTrench, N-кан 60В 265А 2.5мОм [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 265 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 395 Крутизна характеристики, S: 200 Корпус: to-220	быстрый просмотр		890 руб. × от 15 шт. — 833 руб.
FDS4559, Транзистор N/P-MOSFET 60В 6А/5А [SOP-8] 1402 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1402 шт.	40 руб. × от 100 шт. — 36 руб.
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8] 2414 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2414 шт.	60 руб. × от 15 шт. — 54 руб.
FQP17P06, Транзистор, MOSFET P-CH 60В 17А [TO-220AB] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.12 Ом/8.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 9.3 Корпус: to-220	быстрый просмотр		220 руб. × от 15 шт. — 172 руб.
FQP27P06, Транзистор, QFET, P-канал, 60В, 27А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 27 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 12.4 Корпус: to-220	быстрый просмотр		290 руб. × от 15 шт. — 268 руб.
FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 32 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.035 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: to-220	быстрый просмотр		200 руб. × от 15 шт. — 160 руб.
FQP50N06, Транзистор, N-канал 60В 50А [TO-220] Бренд: Fairchild Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. × от 15 шт. — 188 руб.
FQU11P06TU, Транзистор, Р-канал 60В 9.4А [I-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.185 Ом/4.7А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 4.9 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		130 руб. × от 15 шт. — 114 руб.
HUF76429S3ST, Транзистор, UltraFET, N-канал, 60В, 44А [TO-263AB / D2-PAK] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		190 руб. × от 15 шт. — 147 руб.
IPP032N06N3GXKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 60В 120А [TO-220] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 120 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0032 Ом/100А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 188 Корпус: to-220	быстрый просмотр		330 руб. × от 15 шт. — 262 руб.
IRF1010EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79 А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 84 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/50А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 200 Крутизна характеристики, S: 69 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		190 руб. × от 15 шт. — 151 руб.
IRF1018EPBF, Транзистор, N-канал 60В 79А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 79 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0084 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 110 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		150 руб. × от 15 шт. — 125 руб.
IRF1018ESTRLPBF, Транзистор, N-канал 60В 77A [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 77 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0084 Ом/47А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		200 руб. × от 15 шт. — 155 руб.
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8] 5367 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5367 шт.	82 руб. × от 50 шт. — 79 руб.
IRF7351TRPBF, Транзистор HEXFET, 2N-канала 60В 8А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0178 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 18 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		320 руб. × от 25 шт. — 296 руб.
IRF9Z24PBF, Транзистор, P-канал 60В 11А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/6.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60 Крутизна характеристики, S: 1.4 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		130 руб. × от 15 шт. — 91 руб.
IRFB3006PBF, Транзистор, N-канал 60В 270А, [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 195 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 Ом/170А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 375 Крутизна характеристики, S: 280 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		440 руб. × от 15 шт. — 392 руб.
IRFB3206PBF, Транзистор HEXFET N-канал 60В 120А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 210 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.003 Ом/75А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 300 Крутизна характеристики, S: 210 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		440 руб. × от 15 шт. — 371 руб.