Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{134 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223] 4748 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4748 шт.	12 руб. × от 50 шт. — 11 руб.
1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252] 1977 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8.5 Ом/0.5А, 10В Крутизна характеристики, S: 0.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	1977 шт.	15 руб. × от 50 шт. — 13 руб.
2N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [SOT-223] 4160 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: SOT-223	быстрый просмотр	4160 шт.	18 руб. × от 50 шт. — 16 руб.
2N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 2А [TO-252] 3562 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4.2 Ом/1А, 10В Крутизна характеристики, S: 1.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	3562 шт.	16 руб. × от 50 шт. — 14 руб.
4N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 4А [TO-252] 1591 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2А/10В Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	1591 шт.	29 руб. × от 50 шт. — 26 руб.
2SK1117, Транзистор N-MOSFET 600В 6А 100Вт [TO-220] 359 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: to-220	быстрый просмотр	359 шт.	350 руб. × от 15 шт. — 324 руб.
2SK2141, Транзистор, N-канал [TO-220F] 132 шт. Бренд: NEC Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Крутизна характеристики, S: 2 Корпус: MP-45F/TO-220F	быстрый просмотр	132 шт.	240 руб. × от 15 шт. — 192 руб.
2SK2545, Транзистор, N-канал [TO-220F] 54 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Крутизна характеристики, S: 5.5 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	54 шт.	240 руб. ×
2SK2645, Транзистор, N-канал [TO-220F] 53 шт. Бренд: Китай Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: MP-45F/TO-220F	быстрый просмотр	53 шт.	330 руб. × от 15 шт. — 220 руб.
2SK2761-01MR, Транзистор, N-канал [2-10R1B / TO-220FP] 141 шт. Бренд: Fuji Electric Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: TO-220F15	быстрый просмотр	141 шт.	220 руб. × от 15 шт. — 176 руб.
2SK2843(Q), Транзистор, N-канал [TO-220F] 52 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	52 шт.	290 руб. ×
2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F] 169 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	169 шт.	160 руб. ×
2SK3567, Транзистор, N-канал [TO-220F] 318 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/1.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Крутизна характеристики, S: 2.6 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	318 шт.	140 руб. ×
2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B] 123 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 8.5 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	123 шт.	440 руб. ×
2SK3797, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 13А [SC-67 / 2-10U1B] 178 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 7.5 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	178 шт.	240 руб. ×
BUZ90, Транзистор полевой, N-канал, Id=4.5А, Vdss=600В, Vgs(th)=2.1…4В, Pd=75Вт, Rds(on)=1.6 Ом [TO-220] 668 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.6 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Корпус: to-220	быстрый просмотр	668 шт.	240 руб. × от 15 шт. — 215 руб.
BUZ90AF, Транзистор полевой, N-канал, Id=4А, Vdss=600В, Vgs(th)=2.1…4В, Pd=75Вт, Rds(on)=2 Ом [TO-220F] 103 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	103 шт.	240 руб. × от 15 шт. — 196 руб.
FCA20N60F, Транзистор, N-канал 600В 20А [TO-3P] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		890 руб. × от 15 шт. — 848 руб.
FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А, 0.165Ом [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 22 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.165 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 205 Крутизна характеристики, S: 22 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 070 руб. × от 15 шт. — 1 020 руб.
FCA47N60, Транзистор, N-канал 600В 47А [TO-3PN] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 47 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/23.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 417 Крутизна характеристики, S: 40 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр		1 560 руб. ×