Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)5 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F]
386 шт.
Пр-во: NEC
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 ом при-3a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35
Крутизна характеристики, S: 3.5
Корпус: to220ab
быстрый просмотр
386 шт.
91 руб. ×
от 15 шт. — 84 руб.
от 150 шт. — 81 руб.
2SJ512, Транзистор, L2-TT-MOSV, Р-канал, 250В, [SC-67 / 2-10R1B]
468 шт.
Пр-во: Toshiba
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 ом при-2.5a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 3.7
Корпус: to220fp
быстрый просмотр
468 шт.
72 руб. ×
от 15 шт. — 65 руб.
от 150 шт. — 64 руб.
BSP317PH6327XTSA1, Транзистор, P-канал, 250В 430мА 4Ом [SOT-223]
854 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -0.43
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 4 ом при-0.43a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.8
Крутизна характеристики, S: 0.76
Корпус: sot223
быстрый просмотр
854 шт.
35 руб. ×
от 50 шт. — 30 руб.
от 500 шт. — 28 руб.
IRFI9634G, Pкан -250В -4.1А TO220FP
2 шт.
Пр-во: IR
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -4.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при-2.5a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Крутизна характеристики, S: 2.2
Корпус: to220fp
быстрый просмотр
2 шт.
350 руб. ×
от 2 шт. — 260 руб.
2SJ307, Р-канальный MOSFET транзистор, высокоскоростной
4 дня, 120 шт.
Пр-во: No trademark
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при-3a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30
Крутизна характеристики, S: 5
Корпус: to220ab
быстрый просмотр
4 дня,
120 шт.
140 руб. ×
от 13 шт. — 64 руб.
от 26 шт. — 56 руб.
от 50 шт. — 51 руб.