Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

7 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
HUF75545P3, Транзистор, N-канал 75А 80В [TO-220]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 75
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/75А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 270
Корпус: TO-220AB
быстрый просмотр
360 руб. ×
от 15 шт. — 350 руб.
IRF7380TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 80В, 3.6А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.073 Ом/2.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4.3
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 25 шт. — 135 руб.
IRF7493TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 9.2А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 13
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
380 руб. ×
от 50 шт. — 350 руб.
IRF7854TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 10А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0134 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 12
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
240 руб. ×
от 25 шт. — 221 руб.
IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
53 руб. ×
от 15 шт. — 48 руб.
IRLR2908TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 80В 30А [D-PAK]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 39
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/23А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 120
Крутизна характеристики, S: 35
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
200 руб. ×
от 15 шт. — 172 руб.
Транзистор IRF7380, корпус SO-8 ,IR
18 шт.
Бренд: No trademark
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.073
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 4.3
Корпус: so-8
быстрый просмотр
18 шт.
230 руб. ×