Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.3

_{138 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

2П301Б, Транзистор, P-канальный с изолированным затвором [КТ-114] 136 шт. Бренд: Россия Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.015 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2 Крутизна характеристики, S: 1…2.6 Корпус: KT-114	быстрый просмотр	136 шт.	500 руб. × от 30 шт. — 394 руб.
AO4402G, Транзистор Trench Power MOSFET N-канал 20В 20А 5.9мОм [SOIC-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0049 Ом/4.5А, 20В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		53 руб. × от 25 шт. — 44 руб.
BSH105,215, Транзистор MOSFET N-CH 20В 1.05А [SOT-23] 872 шт. Бренд: Nexperia Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.05 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.2 Ом/0.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.417 Крутизна характеристики, S: 1.6 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	872 шт.	33 руб. × от 100 шт. — 25 руб.
FDC6420C-VB, Транзистор TrenchFET N/P-каналы 20В 5,5/-3.2А [TSOP-6] 10885 шт. Бренд: VBsemi Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.5/3.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/2.5А, 10В/0.055 Ом/1.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.15 Крутизна характеристики, S: 4.3/2 Корпус: TSOP-6	быстрый просмотр	10885 шт.	27 руб. × от 50 шт. — 25 руб.
FDN302P, Транзистор PowerTrench P-канал 20В 2.4А [SuperSOT-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/2.4А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.5 Корпус: SuperSOT-3/SOT-23-3	быстрый просмотр		51 руб. × от 100 шт. — 49 руб.
FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6.5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		88 руб. × от 25 шт. — 74 руб.
FDS9926A-VB, Транзистор 2N-MOSFET 20В 7.1А 2Вт [SOIC-8] 878 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.1 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/7.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	878 шт.	50 руб. × от 15 шт. — 45 руб.
IRF5810TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2P-канал 20В 2.9А [TSOP-6] Бренд: IR Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96 Крутизна характеристики, S: 5.4 Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6	быстрый просмотр		29 руб. × от 100 шт. — 26 руб.
IRF5852TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канал 20В 2.7А [TSOP-6] Бренд: IR Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.7А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.96 Крутизна характеристики, S: 5.2 Корпус: TSOP-6/TSOT-23-6	быстрый просмотр		66 руб. × от 50 шт. — 56 руб.
IRF7104TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 2.3A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.25 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. × от 25 шт. — 73 руб.
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		83 руб. × от 25 шт. — 76 руб.
IRF7301TRPBF, Транзистор, HEXFET, 2N-канала, 20В, 5.2А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/2.6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. × от 25 шт. — 72 руб.
IRF7304TRPBF, Транзисто HEXFET, 2P-канала, 20В, 4.3А, 0.090Ом [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.09 Ом/2.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		110 руб. × от 25 шт. — 100 руб.
IRF7307TRPBF, Транзистор, HEXFET, N/P-каналы, 20В, 5.2А/-4.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.7/4.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В/0.09 Ом/2.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 8.3/4 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. × от 25 шт. — 95 руб.
IRF7311TRPBF, Транзисто, 2N-канала 20В 6.6А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		120 руб. × от 25 шт. — 91 руб.
IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/2.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 5.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. × от 25 шт. — 93 руб.
IRF7317TRPBF, Транзистор HEXFET N/P-каналы 20B 6.6А/5.3A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6/5.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.029 Ом/6А, 4.5В/0.058 Ом/2.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 20/5.9 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		90 руб. × от 25 шт. — 76 руб.
IRF7324TRPBF, Транзистор 2P-MOSFET 20В 9A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 19 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. × от 50 шт. — 103 руб.
IRF7324TRPBF-VB, Транзистор 2P-канала 20В 8.9A TrenchFET [SOIC-8] 6749 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Ом/8.9А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 26 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	6749 шт.	64 руб. × от 100 шт. — 58 руб.
IRF7401TRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал 20В 8.7А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Ом/4.1А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		61 руб. × от 50 шт. — 57 руб.