Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

12 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
APM4953, Транзистор 2P-MOSFET 30В 5.3А 2Вт [SOP-8]
3765 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.038 Ом/5.3A/10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOP-8
быстрый просмотр
3765 шт.
15 руб. ×
от 100 шт. — 13 руб.
IRF7303TR, Транзистор 2N-MOSFET 30В 4.9А 2Вт [SOP-8]
5139 шт.
Бренд: UMW
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
5139 шт.
25 руб. ×
от 50 шт. — 22 руб.
IRLML0030TR, Транзистор N-MOSFET 30В 5.3А 1.3Вт [SOT-23-3]
4132 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 9.5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
4132 шт.
8 руб. ×
от 100 шт. — 7 руб.
IRLML0040TR, Транзистор N-MOSFET 40В 3.6А 1.3Вт [SOT-23-3]
4955 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/3.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.1
Крутизна характеристики, S: 11
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
4955 шт.
9 руб. ×
от 100 шт. — 8 руб.
FDS9435A, Транзистор, PowerTrench, P-канал, 30В 5.3А [SO-8]
Бренд: ON Semiconductor
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 10
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
73 руб. ×
от 25 шт. — 65 руб.
IRF7204TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
83 руб. ×
от 25 шт. — 76 руб.
IRF7303TRPBF, Транзистор, 2N-канала 30В 4.9А 0.050Ом [SO-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.05 Ом/2.6А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.2
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
98 руб. ×
от 25 шт. — 89 руб.
IRF7314TRPBF, Транзисто, HEXFET, 2P-канала, 20В, 5.3А [SOIC-8]
Бренд: Infineon
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.058 Ом/2.9А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2
Крутизна характеристики, S: 5.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 25 шт. — 93 руб.
IRLML0030TRPBF, Транзистор N-MOSFET 30В 5.3А 1.3Вт [SOT-23-3]
12175 шт.
Бренд: Hottech
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 9.5
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
12175 шт.
14 руб. ×
от 100 шт. — 13 руб.
IRLML0030TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 5.3А, [SOT-23]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3
Крутизна характеристики, S: 9.5
Корпус: Micro-3/SOT-23-3
быстрый просмотр
21 руб. ×
от 100 шт. — 19 руб.
SI2323DDS-T1-GE3, Транзистор, P-канал, -20В -5.3А [SOT-23]
Бренд: Vishay
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.039 Ом/4.1А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.75
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
230 руб. ×
от 100 шт. — 215 руб.
IRF7204PBF, Транзистор, P-канал 20В 5.3А [SO-8]
Бренд: IR
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/5.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 7.9
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
39 руб. ×
от 25 шт. — 33 руб.