Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

6 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
Бренд / Производитель
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 Ом/20А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)
быстрый просмотр
84 руб. ×
от 50 шт. — 79 руб.
от 500 шт. — 73 руб.
SPP21N50C3XKSA1, Транзистор MOSFET N-канал 500В 21А [TO-220]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.19 Ом/13.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208
Корпус: PG-TO220
быстрый просмотр
710 руб. ×
от 15 шт. — 676 руб.
от 150 шт. — 670 руб.
STB28NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.135 Ом, 21 А [D2-PAK]
231 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.158 Ом/10.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150
Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)
быстрый просмотр
231 шт.
430 руб. ×
от 15 шт. — 384 руб.
от 150 шт. — 379 руб.
BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3]
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 15
Корпус: PG-TO263-3
быстрый просмотр
75 руб. ×
от 15 шт. — 68 руб.
от 150 шт. — 65 руб.
CSD16404Q5A, транзистор 8SON
Пр-во: Texas Instruments
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3
Корпус: SON8-3x3
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 3 шт. — 120 руб.
от 12 шт. — 102 руб.
от 21 шт. — 101.67 руб.
IRFH9310TRPBF, Транзистор, P-канал 30В 40А [PQFN-5x6]
Пр-во: Infineon
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0046 Ом/21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1
Крутизна характеристики, S: 39
Корпус: PQFN-8(5X6)
быстрый просмотр
220 руб. ×
от 15 шт. — 208 руб.
от 150 шт. — 202 руб.