Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)26 из более 1000
Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДороже
166 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 9.7
Корпус: to-220
|
![]() |
166 шт. |
450 руб.
×
от 15 шт. — 400 руб.
|
|
283 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 25
Корпус: soic-8
|
![]() |
283 шт. |
83 руб.
×
от 25 шт. — 72 руб.
|
|
282 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 6
Корпус: TO-220AB
|
![]() |
282 шт. |
230 руб.
×
от 15 шт. — 210 руб.
|
|
414 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60
Крутизна характеристики, S: 1.4
Корпус: TO-220AB
|
![]() |
414 шт. |
140 руб.
×
от 15 шт. — 111 руб.
|
|
260 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170
Крутизна характеристики, S: 6.1
Корпус: TO-220AB
|
![]() |
260 шт. |
300 руб.
×
от 15 шт. — 276 руб.
|
|
315 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.6 Ом/6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 180
Крутизна характеристики, S: 5.7
Корпус: to-247ac
|
![]() |
315 шт. |
330 руб.
×
от 10 шт. — 298 руб.
|
|
2778 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
2778 шт. |
110 руб.
×
от 15 шт. — 93 руб.
|
|
1674 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: ipak
|
![]() |
1674 шт. |
120 руб.
×
от 15 шт. — 104 руб.
|
|
729 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/7.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: PG-TO220
|
![]() |
729 шт. |
640 руб.
×
от 15 шт. — 574 руб.
|
|
607 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 8.3
Корпус: PG-TO220
|
![]() |
607 шт. |
480 руб.
×
от 15 шт. — 447 руб.
|
|
388 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/7.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: PG-TO220
|
![]() |
388 шт. |
540 руб.
×
от 15 шт. — 504 руб.
|
|
3 дня, 1 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.45 Ом/7.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 156
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: PG-TO247
|
![]() |
3 дня, 1 шт. |
680 руб.
×
от 15 шт. — 592 руб.
|
|
630 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25
Корпус: to-220fp
|
![]() |
630 шт. |
300 руб.
×
от 15 шт. — 254 руб.
|
|
351 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: to-220
|
![]() |
351 шт. |
220 руб.
×
от 15 шт. — 195 руб.
|
|
18 шт.
Пр-во: Vishay
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 4.1
Корпус: D2PAK(2 Leads+1 Tab)
|
![]() |
18 шт. |
230 руб.
×
от 15 шт. — 203 руб.
|
|
3-5 дней, 14 шт.
Пр-во: Fairchild
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.38 Ом/5.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125
Крутизна характеристики, S: 9.7
Корпус: TO-220F
|
![]() |
3-5 дней, 14 шт. |
770 руб.
×
от 2 шт. — 690 руб.
от 5 шт. — 631 руб.
от 10 шт. — 611 руб.
|
|
3-5 дней, 59 шт.
Пр-во: IR
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 14
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/11А, 4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 8.4
Корпус: soic-8
|
![]() |
3-5 дней, 59 шт. |
390 руб.
×
от 2 шт. — 310 руб.
от 5 шт. — 254 руб.
от 10 шт. — 236 руб.
|
|
3-5 дней, 33 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.11 Ом/6.6a, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33
Корпус: to-220fp
|
![]() |
3-5 дней, 33 шт. |
670 руб.
×
от 2 шт. — 590 руб.
от 5 шт. — 539 руб.
от 10 шт. — 520 руб.
|
|
7-8 недель, 1343 шт.
Пр-во: IR
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/6.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 38
Крутизна характеристики, S: 2.5
Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)
|
![]() |
7-8 недель, 1343 шт. |
400 руб.
×
от 10 шт. — 350 руб.
от 100 шт. — 189 руб.
|
|
7-8 недель, 840 шт.
Пр-во: ST Microelectronics
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.36 ом при 5.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90
Корпус: d2pak
|
![]() |
7-8 недель, 840 шт. |
1 950 руб.
×
от 10 шт. — 1 460 руб.
от 100 шт. — 954 руб.
от 500 шт. — 811.76 руб.
|
Товаров на странице
- 20
- 40
- 60