Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{31 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO3416A, Транзистор N-MOSFET 20В 6.5А [SOT-23-3] 7437 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.025 Ом/6.5А/4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 50 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	7437 шт.	6 руб. × от 100 шт. — 5.50 руб.
AO4405, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 3.1Вт [SOP-8] 1958 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.033 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1958 шт.	11 руб. × от 50 шт. — 10 руб.
AO4807, Транзистор P-MOSFET 30В 6А 2Вт [SOP-8] 1772 шт. Бренд: UMW Структура: 2P-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.019 Ом/6A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1772 шт.	17 руб. × от 50 шт. — 15 руб.
SI2300A, Транзистор N-MOSFET 20В 6А [SOT-23-3] 3479 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.021 Ом/6A/4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.3 Крутизна характеристики, S: 8 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	3479 шт.	5 руб. × от 100 шт. — 4 руб.
2SJ449, Транзистор, Р-канал, [TO-220F] 235 шт. Бренд: NEC Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 250 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Крутизна характеристики, S: 3.5 Корпус: MP-45F/TO-220F	быстрый просмотр	235 шт.	240 руб. × от 15 шт. — 203 руб.
2SK1117, Транзистор N-MOSFET 600В 6А 100Вт [TO-220] 359 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 100 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: to-220	быстрый просмотр	359 шт.	350 руб. × от 15 шт. — 324 руб.
2SK2141, Транзистор, N-канал [TO-220F] 132 шт. Бренд: NEC Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.1 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35 Крутизна характеристики, S: 2 Корпус: MP-45F/TO-220F	быстрый просмотр	132 шт.	240 руб. × от 15 шт. — 192 руб.
2SK2545, Транзистор, N-канал [TO-220F] 54 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Крутизна характеристики, S: 5.5 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	54 шт.	240 руб. ×
2SK2850, Транзистор, N-канал [TO-3P] 57 шт. Бренд: Fuji Electric Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Корпус: TO-3P	быстрый просмотр	57 шт.	400 руб. × от 15 шт. — 359 руб.
2SK3562, Транзистор, N-канал [TO-220F] 169 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.25 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	169 шт.	160 руб. ×
FDS9945, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6А 2Вт [SOIC-8] 2414 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.026 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2414 шт.	60 руб. × от 15 шт. — 54 руб.
FQP6N90C, Транзистор N-MOSFET 900В 6А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 167 Корпус: to-220	быстрый просмотр		330 руб. × от 15 шт. — 294 руб.
FQPF6N90C, Транзистор N-CH 900V 6A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.3 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 47 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		250 руб. × от 15 шт. — 216 руб.
IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/1.1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 30.5 Корпус: TO-252-3	быстрый просмотр		130 руб. × от 15 шт. — 100 руб.
MS6N120FT, Транзистор N-MOSFET 1200В 6А 160Вт [TO-220] 273 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7 Ом/4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Крутизна характеристики, S: 5.7 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	273 шт.	140 руб. × от 10 шт. — 126 руб.
SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3] 1331 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/5А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.1 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	1331 шт.	24 руб. × от 100 шт. — 18 руб.
SPD06N80C3ATMA1, Транзистор, N-канал 800В 6А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.9 Ом/3.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 83 Крутизна характеристики, S: 4 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		250 руб. × от 15 шт. — 234 руб.
STB6NK60ZT4, Транзистор MOSFET N-канал 600В 6А [D2-PAK] 271 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр	271 шт.	110 руб. × от 15 шт. — 98 руб.
STP6NK60ZFP, Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 1 Ом, 6А [TO-220FP] 1515 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 32 Крутизна характеристики, S: 5 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	1515 шт.	150 руб. × от 15 шт. — 123 руб.
TK6A65D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 650В 6А [TO-220SIS] 120 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.11 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	120 шт.	220 руб. ×