Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{18 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRFR3910TR, Транзистор N-MOSFET 100В 16А 79Вт [D-PAK] 2136 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.115 Ом/10A/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 6.4 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2136 шт.	38 руб. × от 100 шт. — 34 руб.
FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 134 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: to-220	быстрый просмотр		1 040 руб. × от 15 шт. — 982 руб.
FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.199 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 35.7 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		670 руб. × от 15 шт. — 623 руб.
FQP17N40, Транзистор, QFET, N-канал, 400В, 16А [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 170 Корпус: to-220	быстрый просмотр		370 руб. × от 15 шт. — 343 руб.
IRF7210TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] (=IRF7210PBF) Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.007 Ом/16А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		200 руб. × от 10 шт. — 163 руб.
IRF7410TRPBF, Транзистор, P-канал 12В 16А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.007 Ом/16А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 55 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		260 руб. × от 25 шт. — 226 руб.
IRF7456TRPBF, МОП-транзистор, N-Канальный, 16 А, 20 В, 0.0047 Ом, 10 В, 2 В, [SOP-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0065 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		73 руб. × от 50 шт. — 68 руб.
IRFB17N50L, Транзистор N-MOSFET 500В 16А 220Вт [TO-220] 220 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/9.9А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 220 Корпус: to-220	быстрый просмотр	220 шт.	290 руб. × от 15 шт. — 265 руб.
IRFH3702TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 16А [PQFN-3x3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0071 Ом/16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8 Крутизна характеристики, S: 37 Корпус: PQFN-8(3X3)	быстрый просмотр		130 руб. × от 15 шт. — 77 руб.
IRFP350PBF, Транзистор, N-канал 400В 16А [TO-247AC] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/9.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		330 руб. × от 15 шт. — 306 руб.
IRFPC60PBF, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-247AC] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.4 Ом/9.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Крутизна характеристики, S: 13 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		720 руб. × от 15 шт. — 669 руб.
SPW16N50C3FKSA1, Транзистор, N-канал 560В 16А [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 560 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.28 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Крутизна характеристики, S: 14 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		580 руб. × от 15 шт. — 518 руб.
STP16NF06, Транзистор, STripFETT II, N-канал, 60В, 16А, 0.08Ом, [TO-220] 851 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/8a, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6.5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	851 шт.	110 руб. × от 15 шт. — 102 руб.
IRFB17N20DPBF, Транзистор, N-канал 200В 16А [TO-220AB] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.17 Ом/9.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 140 Крутизна характеристики, S: 5.3 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		140 руб. × от 15 шт. — 113 руб.
IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0061 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33 Крутизна характеристики, S: 56 Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)	быстрый просмотр		63 руб. × от 15 шт. — 53 руб.
Транзистор IRFP350, тип N, 190 Вт, корпус TO-247AC 9 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 190 Крутизна характеристики, S: 10 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр	9 шт.	850 руб. ×
IRFPC50PBF, транзистор N канал 600В 11А TO247AC Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 280 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		490 руб. ×
IRFU3910PBF, Nкан 100В 16А TO251, транзистор Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.115 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 79 Крутизна характеристики, S: 6.4 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		190 руб. × от 5 шт. — 181 руб.