Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.4

_{93 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

FDS6690AS, Транзистор N-MOSFET 30В 10А [SOIC-8-0.154] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		54 руб. × от 5 шт. — 53 руб.
IRF7404PBF, Транзистор, P-канал 20В 6.7А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.04 Ом/3.2А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 6.8 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		45 руб. × от 25 шт. — 39 руб.
IRF7406TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 5.8A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.045 Ом/2.8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 3.1 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		80 руб. × от 15 шт. — 75 руб.
IRF7416PBF, Транзистор, P-канал 30В 10А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/5.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		45 руб. × от 10 шт. — 39 руб.
IRF7424PBF, Транзистор, P-канал 30В 11А [SO-8] Бренд: IR Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		78 руб. × от 10 шт. — 69 руб.
IRF7424TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 11А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0135 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		220 руб. × от 25 шт. — 175 руб.
IRF7468PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А, [SO-8] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 9.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0155 Ом/9.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		65 руб. × от 25 шт. — 57 руб.
IRF9310TRPBF, Транзистор, HEXFET, P-канал, 30В, 20А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0046 Ом/20А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 39 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		160 руб. × от 25 шт. — 130 руб.
IRFHM831PBF, Транзистор, N-канал 30В 14А 7.8мОм [PQFN-3.3x3.3] Бренд: IR Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0078 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 82 Корпус: PQFN-8(3.3X3.3)	быстрый просмотр		80 руб. × от 15 шт. — 65 руб.
SI4425BDY-T1-E3, Транзистор, P-канал, -30В -8.8А [SO-8] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 11.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.012 Ом/11.4А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		140 руб. × от 10 шт. — 116 руб.
SI4435DYTRPBF, Транзистор, P-канал, -30В -8А [SO-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		170 руб. × от 25 шт. — 139 руб.
Транзистор IRF7204TR, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 14 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.018 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 7.9 Корпус: so-8	быстрый просмотр	14 шт.	200 руб. ×
Транзистор IRF7403, тип N, 2,5 Вт, корпус SO-8 ,IR 6 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.022 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 8.4 Корпус: so-8	быстрый просмотр	6 шт.	240 руб. ×
Транзистор IRF7416, тип P, 2,5 Вт, корпус SO-8-150-1.27 2 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: so-8	быстрый просмотр	2 шт.	250 руб. ×
Транзистор IRF7425, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 2 шт. Бренд: No trademark Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0082 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: so-8	быстрый просмотр	2 шт.	4 090 руб. ×
Транзистор IRF7455, корпус SO-8-150-1.27 ,IR 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0075 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 44 Корпус: so-8	быстрый просмотр	1 шт.	290 руб. ×
Транзистор IRF7805, тип N,корпус SO-8 ,IR 1 шт. Бренд: No trademark Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 38 Корпус: so-8	быстрый просмотр	1 шт.	550 руб. ×
IRF6216TRPBF, транзистор Pкан -150В -2.2А SO8 Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 150 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		180 руб. × от 30 шт. — 120 руб. от 120 шт. — 107 руб. от 210 шт. — 102 руб.
IRF7455PBF, транзистор N канал 30В 15А SO8 Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		190 руб. ×
IRF9321PBF, транзистор Pкан -30В -15А SO8 Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 15 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Корпус: so8	быстрый просмотр		130 руб. × от 30 шт. — 68 руб.