Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

13 из более 1000
Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд
сбросить
Структура
сбросить
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
сбросить
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
сбросить
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
сбросить
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
сбросить
Крутизна характеристики, S
сбросить
Корпус
сбросить
Товары в наличии
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Астрахань
Барнаул
Белгород
Брянск
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Иркутск
Йошкар‑Ола
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курган
Курск
Липецк
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Оренбург
Пенза
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Сургут
Тамбов
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Ульяновск
Уфа
Хабаровск
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена, руб.
Мин. цена
Макс. цена
FDN335N, Транзистор N-MOSFET 20В 1.7А [SOT-23-3]
1970 шт.
Бренд: UMW
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.055 Ом/1.7A/4.5В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 7
Корпус: SOT-23-3
быстрый просмотр
1970 шт.
6 руб. ×
от 100 шт. — 5 руб.
IRFD123PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1.3А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.27 Ом/0.78А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
53 руб. ×
от 15 шт. — 48 руб.
IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.8 Ом/0.48А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1.1
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
160 руб. ×
от 25 шт. — 125 руб.
IRFD320PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 400В, 0.49А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.8 Ом/0.21А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 2
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
130 руб. ×
от 15 шт. — 106 руб.
IRFD420PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 500В, 0.37А [HVMDIP]
Бренд: Vishay
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.48
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 1.5
Корпус: HVMDIP-4
быстрый просмотр
210 руб. ×
от 25 шт. — 174 руб.
IRLL024ZTRPBF, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive [SOT-223]
Бренд: Infineon
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 7.5
Корпус: SOT-223
быстрый просмотр
91 руб. ×
от 50 шт. — 82 руб.
КП505А, Транзистор, N-канал, 50В, 0.5Вт [TO-92 / КТ-26]
774 шт.
Бренд: Интеграл
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/1.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 500
Корпус: kt-26
быстрый просмотр
774 шт.
76 руб. ×
от 15 шт. — 64 руб.
Транзистор BCX51-16/T1, корпус SOT-89 ,PH
30 шт.
Бренд: No trademark
Структура: pnp
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 45
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Корпус: sot-89
быстрый просмотр
30 шт.
75 руб. ×
Транзистор BSS129, тип N, 1 Вт, корпус TO-92
1 шт.
Бренд: No trademark
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 240
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 0.2
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
1 шт.
760 руб. ×
Транзистор КП504А, тип N, 1 Вт, корпус TO-92
392 шт.
Бренд: No trademark
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 240
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
392 шт.
130 руб. ×
Транзистор КП505А, тип N, 1 Вт, корпус TO-92
41 шт.
Бренд: No trademark
Структура: N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 1.4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 0.5
Корпус: TO-92
быстрый просмотр
41 шт.
130 руб. ×
CSD23201W10, транзистор 4DSBGA
Бренд: Texas Instruments
Структура: P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Корпус: DSBGA-4
быстрый просмотр
64 руб. ×
FDS4935A, Двойной МОП-транзистор, Двойной P Канал, -7 А, -30 В, 23 мОм, -10 В, -1.6 В [SO-8]
Бренд: Fairchild
Структура: 2P-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1
Крутизна характеристики, S: 19
Корпус: SOIC-8
быстрый просмотр
110 руб. ×